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基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述 ／陈心满等 ·19 基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述 陈心满，赵灵智，牛巧利 (华南师范大学光 电子材料与技术研究所，广州 510631) 摘要 随着半导体技术节点的推进 ，传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求。阻 变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术，其器件具有结构简单、与CM()S工艺兼容、可高密度集成以及快速存 储等优势，引起人们广泛 的研究兴趣并成为 国内外研究的热点领域 。就 目前 RRAM 器件 的研究现状 ，从 RRAM 器 件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM 器件等方面进行了简要评述。 关键词 RRAM存储器 阻变效应 电阻存储 物理机制 Review ofNonvolatileM emoryBasedontheResistanceSwitchingEffect CHENXinman，ZHAOLingzhi，NIU Qiaoli (Instituteof()ptoelectronicMaterialsandTechnology，SouthChinaNormalUniversity，Guangzhou510631) Abstract Withtheadvance0{semiconductortechnologynodes，thetraditionalsemiconductormemorytechnolo— gYhasfailedtomeettheincreasingrequirementsofportableinformationproducts．Resistancerandom accessorymemo— ry (RRAM)isanew storageway，thedevicehasmanyadvantages，includingasimplestructure，compatibilitywith CM ()Sprocess，high—densityintegrationandfastmemory，whicharousedthewidespreadinterestofinvestigatorsand becomeahotresearchfield．Thisreview brieflycommentsthecurrentstatusofRRAM devicesinvestigations，from thebasicworkingprinciples，microscopicphysicalmechanism，thechallengesforpracticalapplicationandthenovel RRAM devices． Keywords resistancerandom accessorymemory (RRAM )，resistanceswitchingeffect，resistancestorage， physicalmechanism 随着计算机技术、互联 网以及各种新型电子产品的H益 用磁电阻效应开发的磁阻存储器 (MRAM)、利用电致阻变效 更新 ，人们对以高密度 、长寿命、低功耗 、快速存储 以及低成 应开发的阻变式存储器 (RRAM)。RRAM 是一种新的存储 本为特点的电子信息存储产品的要求也越来越高。同时，现 技术 ，其器件的记忆功能主要源于电路 自身的非线性电阻特 有的随机存储技术逐渐显现m 自身的各种缺陷，如断电时信 性 ，因此亦称为忆阻器 (Memristor)，被认为是继 电阻器 、电 息易丢失、易受电磁辐射干扰等，这在一定程度上 限制 了其 容器、电感器之后的第 四代 电子元件 ，在下一代非挥发性存 在国防、航天航空等高科技领域的应用。尽管 目前 占存储器 储器的竞争 中被寄予厚望_3]。