基于高比容钽粉的聚合物片式电容器制备工艺研究.pdfVIP

基于高比容钽粉的聚合物片式电容器制备工艺研究／闻俊峰等 ·129 · 基于高比容钽粉的聚合物片式 电容器制备工艺研究 闻俊峰 ，蒋亚东。，杨亚杰 ，徐建华 (1 中国国防科技信息技术中心，北京 100036；2 成都电子科技大学光电信息学院，成都 610054) 摘要 针对 比容为 50000~70000／,F ·V／g的较高比容钽粉，研究了导电聚合物聚3，4一乙烯基二氧噻吩 (PE— IX)T)作为阴极材料的有机片式固体钽电解电容器的制备工艺，通过调整阳极体制备及 阴极被覆工艺等参数实现了 PEXI)T在高比容钽块表面的有效被覆，获得 了各项性能参数 良好的聚合物片式钽电解电容器。重点研究了压制密 度、形成电流密度等参数及分段被膜工艺对聚合物片式固体钽电容器容量引出、等效 串联电阻、漏电流等性能的影 响，并讨论 了相应 的电容器工作机理 。 关键词 导电聚合物 钽电解电容器 高比容钽粉 中图分类号：0647 文献标识码：A Investigation ofProductionProcessofPolymerSolidElectrolyteTantalum CapacitorBasedonHighSpecificSurfaceAreaTantalum Powder WENJunfeng，JIANGYadong，YANGYajie，XUJianhua。 (1 DefenseTechnicalInformationCenterofChina，Beijing100036；2 CollegeofOpto—electronicInformation， UniversityofElectronicScienceandTechnology，Chengdu610054) Abstract Thefabricationprocessofpolymersolid—electrolytetantalum capacitoremployinghigh capacitance tantalumpowderof50000~70000x／F ·V／gasanodemateria1wasinvestigated．Theoptimizedfabricationprocessfor tantalum powderpelletanodeandcathodefilm depositionprocesswasexplored，andtheobtainedpolmy ersolid—elec— trolytetantalum capacitorexhibitedexcellentelectronicperformance．Theinfluenceoffabrication parametersuchas pressingdensity，currentdensityofTa205film formationandstepwise-depositionprocessofcathodefilm oncapacitor perfomr ancesuchascapacitance，equivalentseriesresistance(ESR)，leakagecurrentwerestudiedindetail．Moreover， thediscussionofworkingmechanism aboutpo lymersolid—electrolytetantalum capacitorwasincluded． Keywords conductingpolmy er，electrolytictantalum capacitors，highspecificsurfaceareatantalum powder 以导电聚合物为阴极材料的片式钽电解 电容器具有等 被覆工艺的影响更为突出[3]，如何减少被覆过程中介质氧 效串联电阻(ESR)低、频率特性好的优点。在取代了传统二 化膜缺陷的产生也是一个重要的课题。因此研究