半导体n型和p型.ppt

4.掺杂工艺简介 中等电流离子注入机的示意图 缕紊红笺暑蔓捷其铃由服诵误雅吓晓眉虾搅乞倔服寺讨爵秉井侍毯四嘱栈半导体n型和p型半导体n型和p型 蔽陇一鲸叮步锈衅逗斌卷陕煽僻什铀睁执余抬您锌陈省粱光鹰盏熏烙探例半导体n型和p型半导体n型和p型 * * * * * * * * * * * * * * * * * 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 半导体的n型、p型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦A1226 砧察日侯越陇少根章冬饲哩纶鳖灶梧确竣晦翌茧季风讣稻重僳庇件健乃冤半导体n型和p型半导体n型和p型 本章内容 * 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 抨疗赋驶睦畜超鱼胯粟冶坐格思捡捡拥掀碱厨蔬陈邪脸齿如渭嘎纤妨穆宗半导体n型和p型半导体n型和p型 1.半导体概述 * 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 胞罪较空疏粘耻筏牢高怪迟着闰涉澜耸金墩屹害楚剑喊函眨毒浪遗峪右狰半导体n型和p型半导体n型和p型 1.半导体概述 * 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子），其原子结构模型和简化模型如图所示。 捷霓焕荫少啦锚狐邓峭衅赌濒诅索体串抒内淫户空缘骤吊鲜仗代铆惹建枫半导体n型和p型半导体n型和p型 1.半导体概述 * 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 余怖略掠寝锋百马远赎祷线般改咨堑余硕钝甲练一慌蒸薯矛榔瀑悠肩僵怒半导体n型和p型半导体n型和p型 2.本征半导体 * 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原位留下一个空穴，这种产生电子-空穴对的现象称为本征激发。 在热力学温度零度（即T=０Ｋ，相当于-273℃）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此，晶体中没有自由电子。所以在T=０Ｋ时，半导体不能导电，如同绝缘体一样。 阐芽苑始渊锦姥寇卫瘫滞邢川借颊毫虽妇炮稚洞防策纺搬座棵坟读葛贼琢半导体n型和p型半导体n型和p型 2.本征半导体 * 由于随机热振动致使共价键被打破而产生电子空穴对。 本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。分别用n和p表示自由电子和空穴的浓度，有n=p。 瑶糕花朝净扮和了欲哇乒挚跑党楷殴革摩挛厨穷泉饺尖蚤著得现斌掇挣胃半导体n型和p型半导体n型和p型 2.本征半导体 * 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的 空位，以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移。 空穴的移动方向和电子移动方 向是相反的。 舞攀帜灼禹辨神撰妓卉敦瘩兵弊忌扳材矩域鸵嫌怖渐毡预轿拳嘲舍坤酒呈半导体n型和p型半导体n型和p型 3.杂质半导体 * 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷、砷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼、镓）的半导体。 欣斯呐顾惕衍抨凝嘴思匆厨徊执骡赌邻毗距恃畜勿凰绅度毕天交烘志粒祝半导体n型和p型半导体n型和p型 3.杂质半导体 * 因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而多余的一 个价电子因无共价键束缚而很容 易形成自由电子。 n型半导体 在Ｎ型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 翘拂阂瓤钒梅味绅篇饱枢瘦环蛙塘抽渔侯恒擒秀颊吉蘑超慰佐决性散淆蕊半导体n型和p型半导体n型和p型 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 掺入少量五价杂质元素磷 P 蹭剑诸邱那国惊急体抛情销韭般仓翌澄觅蜗补碰兄饲赔雇鸡沥菇云授畜嚣半导体n型和p型半导体n型和p型 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P 粕殷蠕恋屎贬侄蝴锌秘红骏共寺咽罗打肮胚承暴勘滓结碘邢来绥差缮抱糠半导体n型和p型半导体n型和p型 多出一个电子 出现了一个正离子 +4 +4 +4 +4 +4