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外压力下TiN电子结构的第一性原理研究／谭 心等 ·155 · 外压力下TiN电子结构的第一性原理研究 谭 心 ，王洋洋 ，贾亦超 ，李瑜庆 (1 东北大学机械工程与 自动化学院，沈阳110004；2 内蒙古科技大学机械工程学院，包头 014010) 摘要 利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法，研究了fcc-TiN在不同压力下的稳定性以及 电子结构。通 过焓压计算得到TiN 由fcc结构到 bcc结构的相变压力值约为350GPa，并研究了fcc_TiN的力学稳定性。对fcc- TiN以及bcmTiN的电子结构进行计算，对得到的电荷密度、能带结构以及电子态密度进行综合分析和比较，发现随 着压力的增加TiN的金属性降低。 关键词 TiN 第一性原理 高压 电子结构 中图分类号：0482 文献标识码 ：A First—PrinciplesStudyonElectronicStructure0fTiN UnderPressure TAN Xin ，WANGYangyang ，JIA Yichao，LIYuqing (1 SchoolofMechanicalEngineeringandAutomation，NortheasternUniversity，Shenyang110004；2 Schoolof MechanicalEngineering，InnerMongoliaUniversityofScience＆Technology，Baotou014010) Abstract Thefcc-TiN equilibrium stateandstabilityunderdifferentpressuresandelectronicstructurewere studiedusingtheplanewavepseudopotentialmethodbasedonthedensityfunctionaltheory．Thetransitionpressureis approximately350GPaofTiN from thefccstructuretobccstructurebycalculatedenthalpyandpressure，andtheme— chanicalstabilityofthefcc—TiNwascalculated．Furthermore，fcc—TiNandbcc-TiN electronicstructurewascalculated， thechargedensityfigure，energybandstructureanddensityofelectronicstateswerecomprehensivelyanalyzedand compared，indicatingthatwiththeincreasingofpressure，themetallicityoffce-TiN reduced． Keywords TiN，first-principle，highpressure，electronicstructure 0 引言 1 计算原理 氮化钛(TiN)是一种新型薄膜材料，具有高强度、高硬 采用了基于密度泛函理论的第一性原理方法，运用 度、耐高温、抗腐蚀、抗热震、密度低、耐磨损以及 良好的导电 VASP[5-8]软件包对 TiN的结构和性能进行了探讨 。计算时 性和导热性等优异性能，被广泛应用于工业切割工具、汽车 选取平面缀加波(PAw)和广义梯度近似(GGA)的交换关联 零部件、生物医疗设备和飞机发动机的保护涂层l1]。 势PAw一91_g1 ，电子和离子芯之间的相互作用使用超软赝 1996年 R．Ahuja等L2利用第一性原理计算了TiN的能 势。考虑压力对截断能的影响，选取截断能量为500eV。电 量体积曲线，从能量的层次说明TiN从 fcc到bc