第1章_轻工模电教学参考.ppt

第1章半导体二极管及其应用电路 ;1.1 PN 结 ;图 1.1 半导体二极管导电性能的实验 ;　　1． 半导体的特性 　　自然界中的各种物质, 按导电能力划分为: 导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。它具有热敏性、光敏性和掺杂性。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻; 利用热敏性可制成各种热敏电阻; 利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件, 例如二极管、 三极管、 场效应管等。 ;2． 半导体的共价键结构 ;图1.2 硅和锗的共价键结构 ; 本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半导体晶体。 在温度为零开尔文（0 K, 相当于-273.15 ℃）时, 每一个原子的外围电子被共价键所束缚, 不能自由移动。这样, 本征半导体中虽有大量的价电子, 但没有自由电子, 此时半导体是不导电的。 ; 　 当温度升高或受光照时, 由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧, 价电子从外界获得一定的能量, 少数价电子会挣脱共价键的束缚, 成为自由电子, 同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位, 这个空位称为空穴, 如图1.3所示。空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 显然, 自由电子和空穴是成对出现的, 所以称它们为电子空穴对。 在本征半导体中, 电子与空穴的数量总是相等的。 我们把在热或光的作用下, 本征半导体中产生电子空穴对的现象, 称为本征激发, 又称为热激发。 ;图1.3 本征激发产生电子空穴对示意图 ;　　由于共价键中出现了空位, 在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上, 而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位, 以后其他价电子又可转移到这个新的空位上, 如图1.4所示。为了区别于自由电子的运动, 我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动, 认为空穴是一种带正电荷的载流子, 它所带电荷和电子相等,符号相反。 由此可见, 本征半导体中存在两种载流子: 电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子——电子。本征半导体在外电场作用下, 两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同, 如图1.5所示。 ;图1.4 电子与空穴的移动 ;图1.5 两种载流子在电场中的运动 ; 3． 杂质半导体 ? 不含有杂质的半导体称为纯净半导体（亦称本征半导体）。 在半导体中存在两种导电的带电粒子: 一种是带负电的自由电子（简称电子）, 另一种是带正电的空穴（简称空穴）, 它们都能运载电荷形成电流, 通常称为载流子。 在本征半导体内部, 自由电子和空穴总是成对出现的, 因此, 对外呈中性。 在纯净的半导体中掺入少量的杂质, 会使半导体的导电能力发生显著的变化。 根据掺入杂质不同,可形成两种不同的杂质半导体, 即N型半导体和P型半导体。 ; 1) N型半导体 在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后, 就可成为N型半导体, 如图1.6(a)所示。由于五价的磷原子同相邻四个硅（或锗）原子组成共价键时, 有一个多余的价电子不能构成共价键, 这个价电子只受杂质原子核的束缚， 因此，在常温下，这个价电子很容易脱离原子核的束缚而成为自由电子。 因此在这种半导体中, 自由电子数远大于空穴数, 导电以电子为主, 故此类半导体亦称电子型半导体。 ; 2) P型半导体 在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质, 如硼（或铟）等。 硼原子只有3个价电子, 它与周围硅原子组成共价键时, 因缺少一个电子, 很容易吸引相邻硅原子上的价电子而产生一个空穴。这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子, 具有导电性能。P型半导体共价键结构如图1.6(b)所示。 ;图1.6 掺杂质后的半导体 (a) N型半导体； (b) P型半导体 ; 值得注意的是, 掺杂在产生空穴的同时, 并不产生新的自由电子, 只是原来的晶体本身仍会因热激发等产生少量电子空穴对。 掺入的三价元素杂质越多, 空穴的数量越多。 在P型半导体中, 空穴数远远大于自由电子数, 空穴为多数载流子(简称“多子”), 自由电子为少数载流子(简称“少子”)。 导电以空穴为主, 故此类半导体又称为空穴型半导体。 ;1.1.2 PN结及其单向导电特性 1. PN结的形成 在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺, 一边形成P型半导体, 另一边形成N型半导体。在P型和N型半导体交界面的两侧, 由于载流子浓度的差别, N区的电子必然向P区扩散, 而P区的空穴要向N区扩散。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子, N区一侧则因失去电子而留下不能移动的正离子, 这些离子被固定排列在晶格上,不能自由运动, 所以并不参与导电,这样,在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层, ;电荷的离子层, 称为空间电荷区,