探测器级CdZnTe晶体变温特性研究.pdfVIP

徐亚东 等 ：探测器级 cdznTe晶体变温特性研究 探测器级 CdZnTe晶体变温特性研究 徐亚东，何亦辉 ，王 涛，查钢强，傅 莉 ，介万奇 (西北工业大学 ，凝 固技术 国家重点实验室 ，陕西 西安 710072) 摘 要 ： 采用未经准直能量为 5．48MeV 的 Am a 2 实验过程及理论模型 粒子，研 究 了温度在 230～300K 范围 内，不同电场作 用下 CdZnTe晶体 的脉冲响应信号，分析 了载 流子传 2．1 a粒子诱导脉冲响应光谱测试 输特性 随温度 变化 的规律 。对 比 了室温 (298K)以及 生长 态 Cd Zn。．Te晶锭 定 向切 割 出尺 寸 为 280K 下探测器对 Am@59．5keV／射线 的响应光谱 。 10mm×10mm×2mm 的单晶片。晶片经机械 、化学抛 同时分析 了 1500V／cm 电场作用下探测器漏 电流 随温 光后 ，两个表面采用真空蒸镀的方法 ，分别沉积厚度约 度的变化规律 。研 究表 明，对 于性 能优异 的 CdZnTe 为 70nm 的Au电极 ，随后采用 3O 的 H O。溶液对 电 晶体，载流子迁移率寿命积 随温度 变化较 小。而对于 极未覆盖的 CZT表面进 行钝化。使用导电胶将 处理 存在 de—trapping(去俘获)缺 陷的 CdZnTe样 品 ，光生 好 的 Au／CZT／Au粘贴在 印有 电路 的陶瓷基板上 ，然 载流子在 晶体 中的传输会显著减缓 ，且随温度 的降低 ， 后放置于低 温恒温 样 品室 中，探 测器 引 出的导线 由 其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提 高 BNC接头与 ORTEC142前置放大器相连。抽真空至 探测器的能量分辨率 。 2×10 Pa后开始测试 。实验采用阴极接受照射 的方 关键词 ： CdZnTe；Ct粒 子；脉冲 响应光谱 ；载流子传 式，使用未经准直能量为 5．48MeV 的 Ama粒子作 输 ：漏 电流 为辐射源 。同时 ，利用高速波形数字转化收集器获取 中图分类号 ： TN304 文献标识码 ：A 每个经前置放大器形成 的电压脉 冲，最后 由Scopeview 文章编号 ：100卜9731(2011J03—0441一O3 软件分析脉冲波形的上升时间。 2．2 a粒子脉冲波形分析 1 引 言 CZT探测器受到 a粒子辐射后 ，在距离入射表面 CdZnTe(CzT)探测器因其在室温下对 x射线和 深约 18~／m 的表层 区内激 发出相应数量 的电子一空穴 射线具有较高的空间和能量分辨率 ，且响应速度快 、 对。在探测器外加电场的作用下 ，电子和空穴将分别 灵敏度高，成为化合物半导体探测器研 究人员关 注的 向探测器的两个 电极漂移，形成振幅正 比于入射强度 焦点ll]。优异的探测性能使得其在诸如环境监测 、核 的电荷脉冲。该 电荷脉 冲经过前置放大器转变成 电压 医学成像 、天体 物理等领域得 到广 泛应用 [3．57。然而 ， 脉冲。如果晶体 内部电场恒定且分布均匀，则收集到 目前成份均匀 ，性能稳定 的 CZT单 晶的产率仍较低 ， 的电压脉冲通 常随时问近于线性变化 。然而，由于存 巨额的费用用 于晶片的筛 选与测试上 ，限制了其大规 在 de—trapping缺陷，造成光生载流子先被缺陷俘 获， 模工业化 生产 。制备性 能优异 的 CZT 探测器 ，要求 后又在外加电场的作用下重新被激活 ，并最终被收集 ， CZT 晶体具有较高的 电阻率 以及优 异的载流子传输 一 定程度上延缓载流子的传输 ，造成 收集到 的电压脉 性能=6【’。高电阻率是保证探测器在较大外加偏压下 冲存