掺Eu的γ-La_2S_3的低温合成机理及其发光特性研究.pdfVIP

罗昔贤 等 ：掺 Eu的7-LazS。的低温合成机理及其发光特性研究 掺 Eu的 —La2S3的低温合成机理及其发光特性研究 罗昔贤，付 姚，邢明铭，张 明 (大连海事大学 物理系 ，辽宁 大连 116026) 摘 要 ： 采用 CS 硫化法制备 7一LaS。时，通过掺入 添加过量的脱氧剂 C或 Si，夺取 J3一La。S。中的O，从而 Eu离子，使 7一La2S3的生成温度 降低 500。C以上，在 降低 7一Las。的合成温度口 ]。如掺杂少量 c，可使 700℃就能得到稳 定的 一La2S。。掺入 的 Eu离子，充 J3一 一Las。相变温度从 1500℃降低到 1300。C_1，增 当7-La2S3成核 的 晶种 ，从 而 降低 7一La2S3的生成 温 加 c含量，可进一步降低相变温度 ；(2)利用碱金属 度 。一部分 Eu抖通过不等价取代 La ，同时在 晶格 或碱土金属离子去填充 一LaS。的S 空洞l】，起到低 中形成 S空位以保持 电中性；另一部分 Eu抖则填入 丫一 温稳定 7一LaS。的作用 。如 Na离子加入量达到 La2S。的 S4四面体 空洞 ，从 而稳定 了 了一La2S。的晶体 (Na)／(La)≥O．1，在 1000℃硫化 1h，也可得到纯 ～ 结构 ，使其能够在 1100℃下仍能保持稳定。在硫化反 La2S3口 。Marrot[“报道添加 Dy、Ho、Er、Tb等重稀 应过程 中，Eu的掺 杂使相 变过程发 生变化 ，La。S。不 土元素，在较低温度 (600～800℃)也能得到 了一CeS。， 再经过 G一 了相 变，而直接 由介 稳相 LaS2转 变为 丫一 但是，当温度高于 800℃，7一CeS。又会重新变 回 p— LaS。。光谱分析表 明，在 244nm 紫外光激发下，掺 Ce。S。，其机理尚不清楚。 Eu的 7一La2S3在 280、390以及 570nm 处有 3个发射 本文报道通过添加稀土Eu离子，使 7一LazS。的制 带，且 390nm发射峰非常强，可能源于缺 陷发光 ，而 备温度降低到 700。C，并研究其发光特性。 Eu 的发光很弱或不发光 。 2 实 验 关键词： 稀土硫化物；7一LaS。；低温合成 中图分类号： O469 文献标识码 ：A 2．1 样品的制备 文章编号 ：1001—9731(2012)19-2595—04 采用 CS 硫化法制备稀土硫化物 ，具体实验步骤 是 ，先 将 20g氧化 镧 (99．99 )和 o．9g氧化 铕 1 引 言 (99．99 )溶于稀硝酸中制备储备液 ，然后加入稍微过 稀土倍半硫化物的晶体结构有多种l1]，如轻稀土 量的草酸溶液 ，反应得到稀土草酸盐混合沉淀 ( 元素 La的倍半硫化物就具有 cx、G、73种物相 。低温 (Eu)／n(La+Eu)一0．04)。将沉淀过滤，用去离子水 相 a—LaS。是斜方晶体 ]，在 (650±50)℃时不可逆地 清洗几次再干燥。将草酸盐前驱体在 600℃下预煅烧 转化为 I3-LaS。[3]。t3-LaS。为 四方 晶体 ，有时候它也 1h，得到氧化物粉末 。取 1g该氧化物粉末放入石英舟 被认为是组成为 La。S一O (O≤z≤1)的硫氧化物， 中，在 400～1150。C下经 CS 硫化 2h(升温速度为 其中，氧是 p—LaS。相 的稳定剂 ，到 目前为止 ，有关 p— 5℃／rain)。CS 是用 Ar载气 通入 装有 液态 CSz Las。的结构还没有最终确定 ]。当合成温度高达 (30℃)的鼓泡器带出的。 1300℃时，B—La2S。就会转化为 7一La2S。。7一La2S3具 2．2 样品的性能及表征 有立方 Th。P 型结构 ，它也可以认为是一种组成在 物相测试采用 SHIM