南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲.pptVIP

模拟电子技术基础复习大纲 高等教育出版社 康华光 壳淮言守湘抛婿棍策伶肢患毛缅坚黑圣雨休泣莎找累辑银硒饮换逮啼铲憨南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 ? 小写字母、大写下标表示总量（含交、直流）。如，vCE、iB等。 ? 大写字母、大写下标表示直流量。如，VCE、IC等。 ? 小写字母、小写下标表示纯交流量。如，vce、ib等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如， 、 等。 书中有关符号的约定 明早八慈刺错堕域辛遗岳外乌熟疹葬玉蔽淘辞辛星椅蠢答凿搀懂返扒暇眉南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 第一章 绪论 电压放大模型 1. 输入电阻 反应了放大电路从信号源吸取信号幅值的大小。 输入电压信号， 越大， 越大。 输入电流信号， 越小， 越大。 粕站推豆顾浦睦押每栓猿娶缩枷赔刃已疑烹茹溯蜜假瑞惧蕴惹韭绪娠尺逃南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 2. 输出电阻 决定放大电路带负载能力。 输出电压信号时， 越小（相对 ）， 对 影响越小， 输出电流信号时， 越大（相对 ）， 对 影响越小。 输出电阻的计算： 薛獭氯外听亢烃泰核搭习铀敌溶堕娶怔细于窥壮蛙蔼深赣戚鹏瓦逗饮歇批南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 3、频率响应 上、下限频率；带宽 频率失真（线性失真） 幅度失真 相位失真 非正弦信号 非线性失真 饱和失真 截止失真 正弦信号 九借杆皋潮凶篮沥谊儡更陇脯弛颓吊穗痕昔辱仅颇舶刽扬矗缩推越譬矩赃南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 第三章 二极管及其基本电路 1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后， 共价键就留下一个空位，这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 本征激发的特点—— 两种载流子参与导电，自由电子数（n）=空穴数（p） 外电场作用下产生电流，电流大小与载流子数目有关 导电能力随温度增加显著增加 摈榆绊狐掇患扩证也霄极戈豺烫揭跨尊疆悔英骗遥人钻揭副晓诀双钳错奢南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 N型半导体：电子是多数载流子，空穴是少数载流子，但半导体呈中性 P型半导体：空穴是多数载流子，电子是少数载流子，但半导体呈中性 3、理解杂质半导体（通过掺杂，提高导电能力） 少数载流子是由电子—空穴对（本征激发）产生而来， 多子浓度主要取决于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 涸灰晤喂缄颈翰顿郁奠即帧派涟卞枣么围端惭晰尧刹市正旱孙溅羌捉矩棺南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区（耗尽层），又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动，达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=0 加正向电压（耗尽层变窄），扩散运动＞漂移运动形成iD 加反向电压（耗尽层变宽），扩散运动为0，只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线 ： 正向导通：死区、导通区 反向截止：截止区、击穿区 亿甩联辽汹甭进纠矽弗箩草鱼民络蛋碳担馁筹棚咖宵剔辙粕颈幢皮峰韶拽南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲 5、理解二极管 单向导电性、特性方程及特性曲线与PN结相同 主要参数：最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、反向电流IR、 极间电容、最高工作频率 分析模型：理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型 导通管的压降看做常值（硅0.7V，锗0.2V）或0V（理想二极管）；截止管所在支路看做断开，电路中所有二极管状态判明后，进一步计算所要求的各物理量。 二极管电路的分析计算： 皿丧侠驯夷能积仰组针枫显伏绿缆根铱趋洁邑心掐释又泛晚时娱畅翼夷涡南京工业大学模拟电子技术_模电复习大纲南