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第十七章 互補式金氧半導體製程技術 類比CMOS積體電路設計 856 一般性考慮 MOS 元件的側視圖和上視圖。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 857 光微影術 (photolithography) 17.1 組成圖 結構的每一層 。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 858 光微影術 (a) (b) 使用微影術中的光罩 ； 以光阻覆蓋於晶圓上 ； (c) (d) 光阻對於紫外光的選擇性曝光 ； 在蝕刻後的曝光矽晶。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 859 氧化(oxidation) (Field Oxide) 場氧化層 。 二氧化矽乃是利用曝光後的矽放置於氧化的氣體環境中成 長出來。 閘氧化層的成長在製程中是一個非常關鍵的步驟 ，因為氧 化層的厚度tox 決定電流的處理能力及電晶體的可靠度，所 以它必須控制在幾個百分比的誤差範圍內。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 860 離子佈 植(ion implantation) (a) (b) 離子佈植 ； 倒退波形 。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 861 離子佈 植 (a) (b) 由於場區反轉產生的不理想傳導 ； 通道中止佈植 。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 862 離子佈 植 (a) (b) 通道效應 ； 傾斜佈植以避免通道效應 。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 863 MOS 元件的 製程 步驟 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 864 MOS 元件的 製程 步驟 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 865 基本電晶體 製造 (a) n+ 在多晶矽沉積之前形成 區 ； (b) 自我調整結構(self-aligned) 。 類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術 866 後 端處理 (a)氧化分離物(oxide spacer) ； (b)矽化物(silicide cond