阻变存储器的研究概述与展望 - 基地物理.pdf

《基地物理》 2014年第5期 阻变存储器的研究概述与展望 祁菁 ，任天爽 ，汪博1 2 3 （1. 物理科学与技术学院 甘肃 兰州 730000；2. 物理科学与技术学院 13级物理基地一 ，甘肃 兰州 730000；3. 物理科学与技术学院 13级物理基地二 ，甘肃 兰州 730000；） 摘 要： 本文从现今计算机发展的角度简要介绍了各种较为前沿的存储器，并着重介绍了阻变存 储器的基本原理及分类，讨论了其作为存储器与逻辑电路的优势。对阻变存储器目前所面临 的研究困难做了阐述，并对阻变存储器将来的发展进行了展望。 关 键 词：阻变存储器；存储器阻变效应 自古以来，借助外物的信息记录、存储与传播一直是推动人类历史进步的动力。近年来， 随着科技飞速发展，世界信息总量呈爆炸性增长。这就要求我们提供容量更大、速度更快、 [1] 体积更小、功耗更低的高性能存储器以满足呈爆炸性增长的信息存储的需要 。 半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，具备存储图像、文字、程序 等信息，并可在必要时取出的功能。半导体存储器具有容量大、体积小、功耗低、存取速度 快、使用寿命长等特点，因此已广泛应用于信息存储领域。半导体存储器可分为挥发性存储 器和非挥发性存储器两大类。挥发性存储器需要靠外界供电来维持所储存的信息，断电后会 丢失所储存的信息，如计算机内存。非挥发性存储器不需要外界供电即可维持信息的保存， 如浮栅存储器 （Flash）。特别是近年来随着各种智能手机、平板电脑等的广泛应用，非挥发 [1-2] 性存储器在存储市场中占的份额越来越大 。 现阶段应用较广泛的非挥发性存储器主要有ROM(主要应用于机械硬盘HDD) 和Flash （主要应用于U盘，固态硬盘）。 随着技术的发展，尽管Flash存储器凭借其高密度、可电擦除且引入按块擦除机制而极 大地提高了擦除速度的优点，取得了很大的市场份额，但还不是最理想的存储器。其缺点如 [1-3] 下 ： 1、尺寸微缩能力有限，浮栅中存储电荷的量子隧穿效应会随着元件尺寸的减小而更加 明显，造成数据的损坏与丢失。 2 、写操作电压较高且可擦写次数有限（1010 次），无法应用于读写频繁的随机存4 6 储领域（如计算机内存）。 3 、制作工艺较复杂。 因此需要容量更大，速度更快，体积更小，功耗更低的新型非易失性存储器。 一、几种新型非易失性存储器及其优缺点 为了克服Flash存储器的种种缺点，现阶段主要有两种发展方向：一种是对Flash存储 —————— 基金项目：本论文为教师评述。 通讯作者：祁菁（1974－），女，宁夏回族自治区固原市人，教授。 E-mail:qijing@lzu.edu.cn Tel. 联系方式： ， 1 《基地物理》 2014年第5期 器继续改进，如纳米晶存储器(NCM,nanocrytal memory)、电荷俘获存储器(CTM,charge trappingmemory)等。另一种是发展全新的非易失性存储器，如:铁电存储器（FeRAM）、磁 性随机存储器（MRAM）、相变存储器（PRAM）、阻变存储器（RRAM）等。 图1. 存储器基本参数对比 1、FeRAM：FeRAM依靠铁电材料中晶体的取向状态记录信息，相比Flash具有高读写 速度、高存储密度、低运行功耗等优点。然而其读出过程具有破坏性，在大量的读出、重写 过程，易产生疲劳等可靠性问题。同时，随着制程工艺的进步，FeRAM面临成品率及难于 进一步提高存储密度等困难。因此，FeRAM暂时无法取代Flash 的主流地位 2、MRAM：MRAM利用控制铁磁体中的电子自旋方向控制