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考虑mos 效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型 - 电子与信息学报
第35 卷第12 期 电 子 与 信 息 学 报 Vol.35No.12
2013 年12 月 Journal of Electronics Information Technology Dec. 2013
考虑MOS 效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型
杨银堂 王凤娟* 朱樟明 刘晓贤 丁瑞雪
(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安 710071)
摘 要：该文采用求解泊松方程等数学方法，提出了考虑MOS 效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于
铜材料TSV，对比了解析模型与Ansoft Q3D 参数提取模型，得出在偏置电压为-0.4 V, 0.5 V 和1.0 V 时，对于锥
型TSV 侧面倾角为75°, 80°, 85°和90° 4 种情况，多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%, 4.37%,
3.34%和4.84%，忽略MOS 效应时，最大均方根误差分别达到210.42%, 214.81%, 214.52%和211.47%，验证了该
解析模型的准确性和考虑MOS 效应的必要性。Ansoft HFSS 仿真结果表明，考虑MOS 效应以后S11 的最大减幅
大约为19 dB, S21 的最大增幅大约为0.01 dB，锥型TSV 的传输性能得到改善。
关键词：集成电路；锥型硅通孔；寄生电容；MOS 效应；泊松方程
中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1009-5896(2013)12-3011-07
DOI: 10.3724/SP.J.1146.2012.01618
Analytical Model for Parasitic Capacitance of Tapered
Through-silicon-vias with MOS Effect
Yang Yin-tang Wang Feng-juan Zhu Zhang-ming Liu Xiao-xian Ding Rui-xue
(Key Laboratory of Wide Band- Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi’an 710071, China)
Abstract: An analytical model for the parasitic capacitance of tapered Through-Silicon-Vias (TSV) with MOS
effect is proposed by solving Poisson’s equation. A comparison between the analytical model and Ansoft Q3D
parameter extraction model is given based on copper TSV. The results show that in the bias voltage of -0.4 V, 0.5
V and 1.0 V, for the tapered TSV slop wall angles of 75°, 80°, 85° and 90°, the maximum Root Mean Square (RMS)
errors of analytical model are respectively 6.12%, 4.37%, 3.34% and 4.84% over a wide range of multiple parameters;
when MOS effect is ignored, the maximum RMS errors are respectively 210.42%, 214.81%, 214.52% and 211.47%,
and i
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