深紫外检测和缺陷起源分析在22nm 间隔层自对准双布图 - 半导体科技.pdf

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2017-09-03 发布于天津
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深紫外检测和缺陷起源分析在22nm 间隔层自对准双布图 - 半导体科技.pdf

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深紫外检测和缺陷起源分析在22nm 间隔层自对准双布图 - 半导体科技

Semiconductor Manufacturing 22nm SADP, Spacer self-aligned double-patterning LELE, litho-etch litho-etchSADP SADP SEMSADP SADP 32 Photoresist Trim photoresist First APF etch SADP Nitride APF Oxide EUV Hard mask SADP 193nm Dielectric [1] CVD EUV Create Nitride spacer Spacer etch Hard mask etch SADP SADP 20 1 1. SADP [3] SADP SADP SADP SADP SADP SADP[2] APF SADP APF 22 [4]SADP SADP 22 Oﬁ r Montal, Kﬁ r Dotan, Applied Materials Israel, Rehovot, Israel; Bencherki Mebarki, Man-Ping Cai, Chris