氮化镓蓝光发光二极体电特性之改善.PDFVIP

遠東學報第二十八卷第二期 中華民國一百六月出版 氮化鎵藍光發光二極體電特性之改善 Improvement of the Electric Properties for GaN-Based Light Emitting Diode Application 錢韋至 遠東科技大學電子工程系講師 摘 要 本文以化學氣相沈積法製作氮化鎵系之藍光發光二極體，並利用磊晶結 構之改善，進而降低發光二極體之驅動電壓。為了驗證氮化鎵磊晶結構對於 發光二極體之電性的改善，本研究以相同條件之氧化銦錫(ITO)作為透明導電 層與接觸電極。藉由磊晶結構改善方式製作之 LED ，其亮度可增加100％， 而其驅動電壓減少29％。 關鍵詞 ：氮化鎵、發光二極體、化學氣相沈積、氧化銦錫 Wei-Chih Chien, Instructor, Depart. o