合工大3 第一章：半导体物理基础 3概要1.ppt

三 迁移率与平均自由时间的关系 由于存在散射，外电场作用下定向漂移的载流子只在连续两次散射之间被加速，这期间所经历的时间称为自由时间，其长短不一，它的平均值称为平均自由时间。平均自由时间τ和散射几率 P 都和载流子的散射有关，并存在着互为倒数的关系。 如果N(t)是t 时刻还未被散射的电子数，则N(t+Δt)就是时刻t+Δt 还未被散射的电子数，在Δt 很小时，被散射的电子数为： 在t=0 时N0电子都未被散射，则求得 t 时刻尚未被散射的电子数为： 则求得dt时间内被散射的电子数为： 若电子的自由时间为t，则有： 证明了：平均自由时间τ和散射几率 P 在着互为倒数的关系。 则t 到 t+dt 时间内被散射的所有电子的自由时间均为t ，则是这些电子自由时间的总和，对所有时间积分，就得到N0个电子自由时间的总和，再除以N0 ，便可以得到平均自由时间。 设沿x方向施加一电场|E| ，考虑到电子m*n具有各向异性，如在 t =0 时刻某一电子遭到散射，散射后该电子沿x方向的速度分量为 vx0，经过时间 t 后又遭到散射，在此期间作加速运动，再次散射前的速度为vx，则有： 假定每次散射后速度v0方向完全无规则，即散射后向各个方向运动的几率相等，所以多次散射后，v0 在 x 方向的速度分量为 vx0 的平均值应该为0。因此，只要计算多次散射后第二项的平均值即得到平均漂移速度。 则t到t+dt 时间内被散射的电子总数和每个电子获得的速度相乘即得到N0个电子漂移速度的总和，再除以总电子数N0就得到平均漂移速度： 电子获得的速度 0 由此得到电子迁移率与平均自由时间的关系为（迁移率只取正值）： 同理得到空穴迁移率与平均自由时间的关系为（迁移率只取正值）： 电导率与平均自由时间关系： 1、N型半导体： 2、P型半导体： 3、混合型半导体： * Physics of Semiconductor Devices * 五 非平衡载流子的产生与复合理论 半导体的平衡态并不是总能成立的，如果某些外界因素，如光照等，作用于平衡半导体上，此时，平衡态条件就被破坏，样品处于偏离平衡态的状态，称为非平衡态。 光子能量 1 非平衡载流子的注入与复合 （1）光照后半导体载流子的就不再是n0 和p0，而是分别多了Δn和Δp ，并且Δn=Δp 。多出的这部分载流子就称为非平衡载流子。光照后的非平衡半导体中电子的浓度是：n= n0+Δn， p= p0 + Δp 。 如果Δn n0 ,Δp n0满足这样的注入条件称为小注入。 光照产生非平衡载流子的方式称做非平衡载流子的光注入，此外还有电注入等形式。 !Δp (如果注入为1010） （2）在N型半导体中， 虽然Δn n0 (1015)，但有Δp p0 (104) ，因而相对来说非平衡多子的影响较弱，而非平衡少子的影响起主要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 （4）当产生非平衡载流子的外部作用撤除后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态，这个过程也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 （3）非平衡载流子的存在会使得半导体的载流子数量发生变化，会引起附加电导率： 2 准费米能级 由于存在外界因素作用，非平衡态半导体不存在统一的费米能级。但分别就导带和价带的同一能带范围而言，各自的载流子带内热跃迁仍然十分踊跃，在极短时间内就可以达到各自的带内平衡而处于局部的平衡态。因此，统计分布函数对导带和价带分别适用。为此引入导带电子准费米能EFN 和价带空穴的准费米能级EFP。 类似平衡态分析方法： 只要非简并条件成立，该式就成立 E-EFkT 对上式进行变换： 1、无论电子或空穴，非平衡载流子越多，准费米能级偏离平衡态EF的程度就越大，但两种准费米能级偏离平衡态的程度不同。 2、小注入时，多子费米能级和EF偏离不多，而少子费米能级和EF偏离较大。这是因为： 上式表明： 非平衡载流子浓度乘积为： 表明：两个准费米能级之差反映了非平衡态载流子浓度与平衡态载流子浓度相差的程度，准费米能级相差越小，就越接近平衡态，相反就越偏离平衡态。非平衡态载流子是半导体器件工作的基础。 注入前 注入后 ！ 六 非平衡载流子的寿命 外部作用撤除后，非平衡载流子生存一定时间后会消失，这个平均生存时间称为非平衡载流子的寿命τ 。主要考虑少子寿命。其倒数就表示单位时间内非平衡在流子的复合几率。 复合率：为描述非平衡载流子的复合速度，定义单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对为非平衡载流子的复合率。 对于N型半导体， 非平衡少子浓度