半导体器件基础—集成电路.ppt

* * 集成电路工艺结构 P-sub N+ N－well P+ VSS VDD P+ N+ RS1 RS2 RW2 RW1 * 半导体器件原理 * * 提纲 半导体中的载流子及其运动 P-N结的特性 MOS晶体管工作原理及特性 MOS 晶体管电路基本结构单元及特性 硅平面工艺简介（E/D NMOS工艺结构介绍） * * 半导体中的载流子及其运动 硅单晶 正四面体，金刚石结构，晶体的性质与晶向有关，表面的性质与晶面有关 硅原子最小距离：0.235nm 晶格常数：0.543089nm * * 半导体中的载流子及分布 半导体的电阻率介于导体和绝缘体之间 导体：ρ＜10-4Ωcm 绝缘体： ρ＞1010Ωcm 半导体： 10 -4 ＜ρ＜1010Ωcm 导电能力的决定因素 σ＝1/ρ＝nqμ n:载流子的浓度， 决定因素 q:载流子的电荷 μ:载流子的迁移率 （相差不大） * * 半导体中的载流子及分布 硅单晶导电性能 硅原子四个价电子，与周围四个原子各出一个电子形成共价键→每个原子周围八个电子→共价键晶体 热激发→价带电子跃迁到导带→载流子→晶体具有导电性 电子 空穴 Ec Ev 导带 价带 禁带宽度， Eg Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si * *