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- 2017-06-30 发布于湖北
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半导体的导电特性剖析
5.1.2 N型半导体和 P 型半导体 5.1.2 N型半导体和 P 型半导体 5.1.3 PN结的形成 5.1.4 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 5.2 半导体二极管 5.2.1 基本结构 5.2.2 伏安特性 5.2.3 主要参数 二极管电路分析举例 5.3 半导体三极管 5.3.1 基本结构 5.3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 5.3.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 5.3.4 主要参数 1. 电流放大系数,? 5.4 基本放大电路的组成 5.4 基本放大电路的组成 5.4 基本放大电路的组成 5.4 基本放大电路的组成 5.4.3 共射放大电路的电压放大作用 结论: 5.4.3. 共射放大电路的电压放大作用 结论: 结论: 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O (2)截止区 IB 0 以下区域为截止区,有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置,集电结处于反向偏置,晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 (3)饱和区 当UC
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