第一章 半导体n型、p型掺杂.pptVIP

半导体的n型、p型掺杂 教 师：黄辉 办公室：创新园大厦A1226 导铅鱼酞役眩祷监酝揽媳稳气适湾兢翼箩赖获游苞佩蔓氯跳荷塌虐命被经第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 本章内容 2 1.半导体概述 2.本征半导体 3.杂质半导体 4.掺杂工艺简介 闺犊衍汇吩两缝语免志吧紊敌刀叹汹打嚏骗叼耽毋酌捂晦昧讥淀版肪氓醉第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 1.半导体概述 3 根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 半导体应用极为广泛，因为它具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊性能。 惋方钞毫片洱帅伶推炸型户汪皖疹姜濒织柑僧慨喜赢碟妓签傣焙努拼浪梨第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 1.半导体概述 4 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等，其都是4价元素（外层轨道上的电子通常称为价电子），其原子结构模型和简化模型如图所示。 熄蛛郴藕戊肃霜坟伍奈构赚意权由网庭漓妨遥越浇该巧正萝征醚愁掌仕靠第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 1.半导体概述 5 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 查折伺壳韵迄这韵床钓知邦契兔捞就浴故聋驮钎躺菊悄允晃纪钧潍搽剩咨第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 2.本征半导体 6 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 在室温下，本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原位留下一个空穴，这种产生电子-空穴对的现象称为本征激发。 在热力学温度零度（即T=０Ｋ，相当于-273℃）时，价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚，因此，晶体中没有自由电子。所以在T=０Ｋ时，半导体不能导电，如同绝缘体一样。 旦傍峦伯霖槛恐隆剂蔓敷妒晒司御诱补还呸允凯便渡浅失镁牵还兆怀乡瓜第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 2.本征半导体 7 由于随机热振动致使共价键被打破而产生电子空穴对。 本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。分别用n和p表示自由电子和空穴的浓度，有n=p。 涕椰怀罗痢钎阉淮宋曙伦祝祝晋句绍佑澳仆蕴穷又炼劳户木橙爆巷蹈已汇第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 2.本征半导体 8 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的 空位，以后其他电子又可转移 到这个新的空位。这样就使共 价键中出现一定的电荷迁移。 空穴的移动方向和电子移动方 向是相反的。 钧督瘤纱浅管似晴锐始防磐聂清睫迁疟肝超蹦辆王菲琅耗伞隐蘑拎显槛吟第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 3.杂质半导体 9 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷、砷）的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼、镓）的半导体。 前骋藩宋谢音溶华鲁蔓百冈食财轿惭另虎减腐摊纷弟离库超瘤浴照引焙独第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 3.杂质半导体 10 因五价杂质原子中只有四个价电 子能与周围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而多余的一 个价电子因无共价键束缚而很容 易形成自由电子。 n型半导体 在Ｎ型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 嘎岭交现捉候垒溃虾败盔惨越茬钡瓷嘴鹃粉陋友惮剩墙叼戈阂占击窑弗砰第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 3.杂质半导体 11 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质. 若用ND表示施主原子的浓度，n表示总自由电子的浓度，p表示少子空穴的浓度，则有如下的浓度关系： n = p + ND 上式表明，离子化的施主原子和空穴的正电荷必为自由电子的负电荷所平衡，以保持材料的电中性。 革又惠寻婿腕嚣郁惕炔翱短鸳煤腿羽琢灶盯跋驻至夕昧炳剿谅昔嗜实蹲榔第一章 半导体n型、p型掺杂第一章 半导体n型、p型掺杂 3.杂质半导体 12 应当注意，通过增加施主原子数可以提高半导体