第一章电力电子件.pptVIP

六、 P-MOSFET在使用中的静电保护措施 1．静电击穿的形式 1）电压型：栅极的薄氧化层发生击穿形成针孔，使栅极和源极短路，或者使栅极和漏极短路； 2）功率型：金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。 2．防止静电击穿注意事项 1）器件存放应抗静电； 2）取用时，工作人员必须通过腕带良好接地，且应拿在管壳部分而不是引线部分； 3）接入时，工作台要接地，焊接烙铁要接地或断电焊接； 4）测试器件时，仪器和工作台都要良好接地。 第七节 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 绝缘栅双极型晶体管，简称IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor)。是由P-MOSFET与双极晶体管混合组成的电压控制的双极型自关断器件。它将P-MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有P-MOSFET输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、热稳定性好、无二次击穿和驱动电路简单的长处，又有GTR通态压降低、耐压高和承受电流大的优点。IGBT的发展方向有两个：一是追求更低损耗和更高速度；二是追求更大容量。 一、 IGBT的结构和工作原理 1、IGBT的基本结构 IGBT是在P-MOSFET基础上发展起来的集成新型器件，其结构是以GTR为主导元件，P-MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其结构、电路符号、等效电路如下图示。外部有三个电极(G栅极、C集电极、E发射