第二章晶体结构缺陷研究.ppt

要求掌握的主要内容： 掌握缺陷的基本概念、分类方法； 掌握缺陷的类型、含义及其特点； 熟练书写点缺陷的缺陷反应方程式、化学平衡方法计算热缺陷的浓度； 了解缺陷在材料性能的改善、新型材料的设计、研究与开发中的意义。 概述 1、晶体的缺陷： 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 晶体缺陷 :实际晶体对理想晶体的各种偏离 。 2、缺陷的分类 3、研究缺陷的意义 第一节 点缺陷 一、点缺陷类型 1、对理想晶格偏离的几何位置及成分划分为三种： 定义：正常结点上的原子（离子）跳入间隙，形成间隙  原子，原来位置上形成空位。 定义：正常结点上的原子离开平衡位置迁移到晶 体表面，在原来位置形成空位。 组成：主体—缺陷种类 下标—缺陷位置 上标—有效电荷（正，负，零） 1）离子空位：正常结点位没有质点，VM’ 和 VX‥ 4、缺陷反应方程式 基本原则： 缺陷反应举例 （1） 热缺陷 三、热缺陷浓度计算 2、MX型离子晶体的肖特基缺陷浓度 五、固溶体 六、固溶体的研究方法 1、最本质方法：X-ray衍射分析方法。 七、非化学计量化合物 1）阴离子缺位型（阳离子过剩） TiO2、ZrO2会产生这种缺陷，分子式可写为TiO2-x， ZrO2-x，产生原因是环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。 缺陷反应方程式应如下： 1）TiO2的非化学计量对氧压力敏感，在还原气氛中才能形成TiO2-x。烧结时，氧分压不足会导致 升高，得到灰黑色的TiO2-x，而不是金黄色的TiO2。 2） 电导率随氧分压升高而降低。 3）若PO2不变，则 TiO2-x结构缺陷示意图 2）阳离子间隙型 Zn1+xO和Cdl+xO属于这种类型。过剩的金属离子进入间隙位置，带正电，为了保持电中性，等价的电子被束缚在间隙位置金属离子的周围，这也是一种色心。例如ZnO在锌蒸汽中加热，颜色会逐渐加深，就是形成这种缺陷的缘故。 由于间隙正离子，使金属离子过剩型结构 缺陷反应可以表示如下： 或 按质量作用定律 间隙锌离子的浓度与锌蒸汽压的关系为（此为一种模型） 3）阴离子间隙型 目前只发现UO2+x，可以看作UO3在UO2中的固溶体，具有这样的缺陷。当在晶格中存在间隙负离子时，为了保持电中性，结构中引入电子空穴。这种材料为P型半导体。 由于存在间隙负离子，使负离子过剩型的结构 Cu2O、FeO属于这种类型的缺陷。当在晶格中存在阳离子空位时，为了保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空穴。 小结： 以非化学计量的观点来看问题，世界上所有的化合物，都是非化学计量的，只是非化学计量的程度不同而已。 第二节 线缺陷 （二） 位错的基本类型 1、确定柏格斯矢量的步骤 （1）对于给定点的位错，人为规定位错 线的方向，如下图所示。 （2） 用右手螺旋定则确定柏格斯回路方向。 （3）按照图所示的规律走回路，最后封闭回路的矢量即要求的柏氏矢量。 位错的滑移：指位错在外力作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。 位错的攀移：指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。 2、位错的滑移特点 （1）刃位错滑移方向与柏氏矢量b平行，正、负刃位错滑移方向相反。 （2）螺位错滑移方向与柏氏矢量b垂直，左、右螺型位错滑移方向相反，理论上包含位错线的任何平面都是滑移面，实际上还受到晶体学条件的限制。 （3）混合位错滑移方向与柏氏矢量b成一定角度（即沿位错线法线方向滑移）。 （4）晶体的滑移方向与位错的柏氏矢量b相一致，但并不一定与位错的滑移方向相同。 （二）位错的攀移 位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。刃位错除了滑移外，还可进行攀移运动。 攀移的实质是多余半原子面的伸长或缩短。螺位错没有多余半原子面，故无攀移运动。 刃位错攀移示意图 3、定义：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、 规则性排列所产生的缺陷。 晶体在不同的应力状态下，其滑移方式不同。根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征不同，位错分为刃型位错、螺型位错、混合位错。 （1）刃型位错：柏格斯矢量与位错线垂直的位错 分类：正刃位错， “┻” ；负刃位错， “┳ 。符号中水平线代表滑移面，垂直线代表半个原子面。 形成及定义：晶体在大于屈服值的切应力?作用下，以ABCD面为滑移面