水热法制备CuInS2薄膜型光伏电池论文.pdfVIP

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 水热法制备CuInS2薄膜型光伏电池 任通，于睿，钟敏，李灿 41184379070，传真：+8641184694447， 中国科学院，大连化学物理研究所，大连，116023，电话：+86 E-mail：canli@dicp．ac．cn，主页：http：／／www．canli．dicp．ac．ca 摘要：铜铟硒硫薄膜型光伏电池稳定、高效，并可用化学方法合成，具有低成本的优点。本 硫薄膜，其具有致密、薄膜组成通过前体浓度进行调节等特点。 关键词：CulnS2；光伏电池；水热法 1．引言 ． 最高转换效率(利用真空蒸镀方法制各)接近20％[1】，大面积集成组件效率超过13％。目 前。铜铟硒硫吸收层薄膜的制备技术主要有真空蒸镀法、磁控溅射法、化学气相沉积法等。 制备过程需要昂贵的真空仪器设备，且不易大面积合成。与上述方法相比，溶液化学方法， 例如水热化学法、电化学沉积具有设备简单、费用低、利于大面积合成、避免有毒气体源等 优点，具有广泛的应用发展前景[2】。 明，通过调节前体的浓度可以改变薄膜的化学计量比，薄膜具有黄铜矿的晶相结构，颗粒致 密，具有微米级的粒子大小，有利于进一步的光伏电池利用。 2． 实验 薄膜晶相采用日本理学D／Max．2500型X射线衍射仪进行分析，表面形貌通过 JSM．6360LV扫描电子显微镜进行分析，薄膜化学组成通过相应的EDS进行分析。 3． 结果与讨论 形成了配合物。在水热条件下，硫脲不断的分解释放，产生s2’前体，适当的条件下在 Sn02：F／glass衬底材料上形成CulnS2半导体薄膜。 (1) Cu’+Tu——一【Cu(Tu)x】 (2) In一+Tu——_【In(Tu)x]。 (3) 2[In(Tu)xr+3s‘————’In2S3(蛐6l㈣ (4) In2S3+S‘————}2(INS2) fil脚) (5) [Cu(Tu)。】+(InS2)————◆CulnS2(thin 图1水热合成CulnS2薄膜的反应过程 292 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 表l为薄膜的化学组成与前体浓度之间的关系。由表l可以看出，前体中Cu和IIl浓度 之间的比例关系对薄膜的化学组成具有非常关键的影响。在适当的前提浓度比例条件下，可 以得到化学计量比为Cu：In：S=1：1：2的CuInS2薄膜。 表l在不同前体浓度下合成的CIS薄膜的化学组成分析 1 ofCISthinfilms with at Table solutions Compositional precursor analysis deposited differentmolarratiosofCu+／In3+ 的条件下，薄膜具有最佳的黄铜矿结构。 图3为薄膜的SEM分析结果。其表明，水热合成的CulnS2薄膜，具有致密的结构。 颗粒大小接近1微米。 图2Cul