光刻技术的发展与应用.pptVIP

光刻技术的发展与应用 光刻技术的发展史 在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点，就是即将到来的光刻技术变革，这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。 光刻技术的发展史 光刻技术是利用光学复制的方法把超小图样刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术。光刻技术是微制造领域最为成功的技术。自从它在1959年被发明以来，就成为半导体工业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的集成电路都是通过它制造的。 光刻的原理与评价指标 光刻的原理与印相片相同，涂在硅片上的光刻胶相当于相纸，掩模相当于底片。用特定波长的光照射光刻胶，光刻胶有感光性和抗蚀性即正负性两种类型。正胶曝光部分在显影液中被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中不溶解，而没有曝光的胶层却被溶解掉。经过显影，则显出光刻图形。光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产生光刻图形的。曝光方式普遍采用分布重复投影式曝光，即将一组图形重复上百次制作在一大片硅片上。 评价光刻质量的指标主要有分辨率（单位长度上可分辨的高反差线对数）、光刻精度（线宽尺寸控制及套刻精度）、产率和成品率等。影响光刻质量的主要因素有曝光系统、曝光方式、光掩模、光刻胶和刻蚀方法等。 光刻的基本概念 光刻处于硅片加工过