高Al组分AlGaN基紫外LED结构材料 - 厦门大学学报（自然科学版）.PDF

第 卷 第 期 （ ） ５１ １ 厦门大学学报 自然科学版 Ｖｏｌ．５１ Ｎｏ．１ 　 　 年 月 （ ） ２０１２ １ Ｊａｎ．２０１２ 　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ 　 　 　 　 　 ｙ 高 组分 基紫外 结构材料 Ａｌ ＡｌＧａＮ ＬＥＤ ＊ ， ， ， ， ， ， 张彬彬 李书平 李金钗 蔡端俊 陈航洋 刘达艺 康俊勇 （ ， ） 厦门大学物理与机电工程学院 福建厦门 ３６１００５ 摘要： （ ） ， ， 采用金属有机物气相外延 技术在 面蓝宝石衬底上 引入脉冲原子层外延技术 制备了一系列表面平 ＭＯＶＰＥ ｃ ， 整度较高的高 组分 基异质结构外延片 并采用电子束金属蒸镀技术及优化热退火方法 获得了良好的欧姆接 Ａｌ ＡｌＧａＮ ． ， ， 触电极 进一步将外延片制备成 管芯 通过对量子结构有源层量子阱混晶组分的设计和调整 掌握并实现了主波长 ＬＥＤ ． ２６０ ３３０ｎｍ紫外ＬＥＤ结构材料的制备． ～ 关键词： ； ； ； ＡｌＧａＮ 量子阱 欧姆接触 紫外ＬＥＤ 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ） Ｏ ４７２ Ａ ０４３８０４７９２０１２０１００１７０５ 　 　　　　 　　　　　 － － － 、 ， 紫外 具有光子能量高 波长短等特点 在高 层外延技术制备出表面平整的 薄膜 在 复 ＬＥＤ ＡｌＮ ． ＡｌＮ 　　 、 、 、 显色指数白光照明 高密度光学数据存贮 平版印刷 合基底上成功外延质量优良的高组分 ＡｌＧａＮ 多量子