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掌控好III-V 族与硅材料的结合 - 化合物半导体
技术技术 | Technology – | Technology – 外延外延
掌控好III-V 族与硅材料的结合
能捕获缺陷的“口袋”技术可在传统的大面积硅衬底上生长出高质量的
GaAs 薄膜
Qiang Li 和 Kei May Lau, 香港科技大学
化合物半导体 2016年第2期 11
技术 | Technology – 外延
1965 年, 时 任 仙 童 半 导 体(Fairchild 中在缩减尺寸、成本和功耗的同时又能极大提升
Semiconductor)研究和研发部总监的 器件工作性能的系统级芯片解决方案也有着很好
GORDON MOORE 在Electronics (电子学)杂志 的发展前景。
上发表了一篇著名的文章。在这篇总共就四页的 “超越摩尔定律”的发展需要对多种材料进
文章中,他描绘了缩小硅晶体管的尺寸可以为半 行异构集成,而在传统的半导体厂中并不使用这
导体产业带来的好处,并且预言了这种尺寸缩小 种新的材料结构。硅材料在制备电子开关和存储
的频率会有多快。这个预言也被后世称作摩尔定 器件上有着极大的优势,但是它的间接带隙阻止
律,摩尔定律的成功昭示了摩尔先生在当初是多 了它在高效光发射和光子相互作用方面的应用。
么地有先见之明。 在对数据传输有着爆炸性需求增长的‘大数据’
如今距离摩尔发表那篇半导体文章才过去了 时代中这个缺点将更为突出。幸好硅器件的这种
五十几年。在这期间的大部分时间中,通过简单 缺点可以通过将它与光子半导体(如III-V 族)
的等比例缩小器件的尺寸,工程师们就能在缩减 材料进行集成来给予解决,这种集成结合将会对
每个晶体管工作能耗的同时,还降低了器件的生 未来芯片内部和芯片到芯片之间的光学互连通讯
产成本和提高了它的工作速度。但是近年来,单 技术产生革命性的影响
单缩小器件的尺寸已经无法满足半导体产业的发 将这两种类型材料结合起来的一个好方法就
展,要维持器件性能的发展势头并且同时还要缩 是在硅衬底上生长III-V 族材料的外延层。当然,
减尺寸就必须要引入新的材料。在这方面,目前 这种方法也有其技术难点,主要源于二者在晶格
最大的改进是用高K 值的HfO2 来取代SiO2 作为 和热性能上的不匹配,它们的晶体取向也是个问
栅介质层材料,以防止在栅介质层厚度被缩减为 题。早在二十世纪八十年代就有人在尝试这项技
只有几个埃量级时,其漏电流会上升到不可接受 术,但是尽管全球的研究者们对此进行了非常大
的程度。 的努力,其进展还是很缓慢,在技术上的突破也
这种将多种新材料用于晶体管的改革正在开 寥寥无几。
创数字和存储器件的新纪元。“超越摩尔定律”的 在这个研发方向上有一个课题组取得了很大
新时代已经来临。在这个新时代里,新材料和三 的进展,那就是我们香港科技大学(HKUST )。
维非平面结构被视为未来晶体管的发展方向。其 我们利用MOCVD 技术研究在与CMOS 兼容的
硅衬底上生长III-V 族纳米结构和薄膜。在这一
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