掌控好III-V 族与硅材料的结合 - 化合物半导体.PDF

技术技术 | Technology – | Technology – 外延外延 掌控好III-V 族与硅材料的结合 能捕获缺陷的“口袋”技术可在传统的大面积硅衬底上生长出高质量的 GaAs 薄膜 Qiang Li 和 Kei May Lau, 香港科技大学 化合物半导体 2016年第2期 11 技术 | Technology – 外延 1965 年， 时 任 仙 童 半 导 体（Fairchild 中在缩减尺寸、成本和功耗的同时又能极大提升 Semiconductor）研究和研发部总监的 器件工作性能的系统级芯片解决方案也有着很好 GORDON MOORE 在Electronics （电子学）杂志 的发展前景。 上发表了一篇著名的文章。在这篇总共就四页的 “超越摩尔定律”的发展需要对多种材料进 文章中，他描绘了缩小硅晶体管的尺寸可以为半 行异构集成，而在传统的半导体厂中并不使用这 导体产业带来的好处，并且预言了这种尺寸缩小 种新的材料结构。硅材料在制备电子开关和存储 的频率会有多快。这个预言也被后世称作摩尔定 器件上有着极大的优势，但是它的间接带隙阻止 律，摩尔定律的成功昭示了摩尔先生在当初是多 了它在高效光发射和光子相互作用方面的应用。 么地有先见之明。 在对数据传输有着爆炸性需求增长的‘大数据’ 如今距离摩尔发表那篇半导体文章才过去了 时代中这个缺点将更为突出。幸好硅器件的这种 五十几年。在这期间的大部分时间中，通过简单 缺点可以通过将它与光子半导体（如III-V 族） 的等比例缩小器件的尺寸，工程师们就能在缩减 材料进行集成来给予解决，这种集成结合将会对 每个晶体管工作能耗的同时，还降低了器件的生 未来芯片内部和芯片到芯片之间的光学互连通讯 产成本和提高了它的工作速度。但是近年来，单 技术产生革命性的影响 单缩小器件的尺寸已经无法满足半导体产业的发 将这两种类型材料结合起来的一个好方法就 展，要维持器件性能的发展势头并且同时还要缩 是在硅衬底上生长III-V 族材料的外延层。当然， 减尺寸就必须要引入新的材料。在这方面，目前 这种方法也有其技术难点，主要源于二者在晶格 最大的改进是用高K 值的HfO2 来取代SiO2 作为 和热性能上的不匹配，它们的晶体取向也是个问 栅介质层材料，以防止在栅介质层厚度被缩减为 题。早在二十世纪八十年代就有人在尝试这项技 只有几个埃量级时，其漏电流会上升到不可接受 术，但是尽管全球的研究者们对此进行了非常大 的程度。 的努力，其进展还是很缓慢，在技术上的突破也 这种将多种新材料用于晶体管的改革正在开 寥寥无几。 创数字和存储器件的新纪元。“超越摩尔定律”的 在这个研发方向上有一个课题组取得了很大 新时代已经来临。在这个新时代里，新材料和三 的进展，那就是我们香港科技大学（HKUST ）。 维非平面结构被视为未来晶体管的发展方向。其 我们利用MOCVD 技术研究在与CMOS 兼容的 硅衬底上生长III-V 族纳米结构和薄膜。在这一