碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟-激光与红外.PDF

第４４卷　 第１期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．１ 　 ２０１４年１月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊａｎｕａｒｙ，２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）０１００４１０５ ·红外材料与器件 · 碲镉汞长波探测器暗电流优化模拟 李　龙，孙　浩，朱西安 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：报道了利用Ｓｉｌｖａｃｏ软件对Ｈｇ ＣｄＴｅ（ｘ＝０２２）ｎ－ｏｎ－ｐ型长波探测器的模拟仿真 １－ｘ ｘ 结果。采用二维简化ｐｎ结模型，以品质因子ＲＡ为标准，模拟计算了载流子寿命、缺陷密度、 ０ 表面态、ｐ区受主浓度、ｐ区厚度、ｎ区厚度宽度对暗电流的影响，得出在良好的品质因子范围 内各个参量可以接受的范围。并针对重要参量利用软件对其复合速率，电流分布，载流子浓度 等进行了详细模拟分析，为探测器设计制备提供了参考。 关键词：长波；碲镉汞；Ｓｉｌｖａｃｏ；暗电流；品质因子 中图分类号：ＴＮ２１５　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１４．０１．００９ Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎａｌｙｓｉｓｏｆｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔｉｎｌｏｎｇｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ＨｇＣｄＴｅｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ ＬＩＬｏｎｇ，ＳＵＮＨａｏ，ＺＨＵＸｉａｎ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＨｇ ＣｄＴｅ（ｘ＝０２２）ｎｏｎｐｔｙｐｅＬＷＩＲｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｉｓｓｉｍｕｌａｔｅｄｂｙＳｉｌｖａ １－ｘ ｘ ｃｏＲｅｆｅｒｒｉｎｇｔｏｑｕａｌｉｔｙｆａｃｔｏｒＲＡ，ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｃａｒｒｉｅｒｌｉｆｅｔｉｍｅ，ｄｅｆｅｃｔｄｅｎｓｉｔｙ，ｓｕｒｆａｃｅｓｔａｔｅｓ，Ｐｔｙｐｅｒｅｇｉｏｎｄｏｐｉｎｇ ０ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆＰｔｙｐｅｒｅｇｉｏｎ，ｔｈｉｃｋｎｅｓｓａｎｄｗｉｄｔｈｏｆＮｔｙｐｅｒｅｇｉｏｎｏｎｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔｉｓｓｉｍｕｌａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇ ｔｗｏｄｉｍｅｎｓｉｏｎｐｎｊｕｎｃｔｉｏｎｍｏｄｅｌＢａｓｅｄｏｎｇｏｏｄｑｕａｌｉｔｙｆａｃｔｏｒｓ，ｔｈｅａｃｃｅｐｔａｂｌｅｒａｎｇｅｏｆａｌｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｓｏｂ ｔａｉｎｅｄＳｏｆｔｗａｒｅｉｓｕｓｅｄｔｏｓｉｍｕｌａｔｅａｎｄａｎａｌｙｚｅｔｈｅｋｅｙｐａｒａｍｅｔｅｒｓ’ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒａｔｅ，ｃｕｒｒｅｎｔｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ，ｃａｒｒｉｅｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ｅｔｃ，ｗｈｉｃｈｐｒｏｖｉｄｅｓａｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｄｅｔｅｃｔｏｒｄｅｓｉｇｎａｎｄｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｌｏｎｇｗａｖｅ；ＨｇＣｄＴｅ；Ｓｉｌｖａｃｏ；ｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔ；ｑｕａｌｉｔｙｆａｃｔｏｒ １　引　言 小暗电流的影响，因此对 ＨｇＣｄＴｅ红外探测器的暗 ＨｇＣｄＴｅ具有带隙可调，光吸收系数大，载流子 电流研究具有非常重要的理论和实际意义。 寿命长，电子迁移率高等优点，自１９５９年提出以来 借助于公式算