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缺陷黄铜矿结构XGa2S4 (X = Zn, Cd, Hg) 晶体电子结构和 - 物理学报
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The first principle study of electronic and
optical properties of defect chalcopyrite
XGa2S4 (X = Zn, Cd, Hg)
Article in Acta hysica Sinica -Chinese Edition- · April 2013
DOI: 10.7498/aps.62.073101
CITATION READS
1 21
4 authors, including:
Z. Y. Jiao Yongliang Guo
Henan Normal University East China Normal University
91 UBLICATIONS 292 CITATIONS 12 UBLICATIONS 18 CITATIONS
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 073101
缺陷黄铜矿结构X Ga2S4 (X Zn, Cd, Hg) 晶体电子结
构和光学性质的第一性原理研究*
†
焦照勇 郭永亮 牛毅君 张现周
( 河南师范大学物理与电子工程学院, 新乡 453007 )
( 2012 年9 月21 日收到; 2012 年11 月23 日收到修改稿)
采用基于密度泛函理论(DFT) 的第一性原理超软赝势方法对缺陷黄铜矿结构X Ga S (X Zn, Cd, Hg) 晶
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体的晶格结构、电学以及光学性质进行了对比研究. 分析比较了它们的晶格常数、键长、能带结构、态密度、
介电函数、折射率和反射系数等性质, 并总结其变化趋势. 结果表明: 这三种材料的光学性质在中间能量区域
(4 eV—10 eV) 表现出较强的各向异性, 而在低能区域( 4 eV) 和高能区域( 10 eV) 各向异性较弱. ZnGa S 和
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