逢甲大学电子工程学系专题研究报告-专题周记系统.PDFVIP

逢 甲 大 學 電 子 工 程 學 系 專 題 研 究 報 告 奈米鰭式電晶體(FinFET)元件閘極介電層陷阱分佈之 低頻雜訊分析研究 Study of Low Frequency Noise on Oxide Traps Distribution of Gate Dielectric for Nano FinFET Device 學 生電子四甲: 蔣政廷(D0139733) 電子四甲 洪偉庭(D0139626) 電子四乙 吳承翰 (D0182715) 電子四乙 陳冠萍 (D0108685) 指導教授 :林成利 博士 中 華 民 國 一 ○ 四 年 十 二 月 目錄 致謝1 第一章 摘要2 1-1中文摘要 2 1-2 英文摘要3 第二章 研究動機 4 2-1鰭式電晶體 (FinFET)簡介 4 2-2 FinFET和 MOSFET優劣比較 5 2-3 ITRS 趨勢預測6 第三章 元件電性 介紹7 3-1短通道效應(Short Channel Effect)7 3-2臨界電壓 (Threshold Voltage)8 3-3汲極引致能障下降(Drain Induced Barrier Lowering)8 3-4 次臨界擺幅(Subthreshold Swing)9 第四章 低頻雜訊10 4-1低頻雜訊原理 11 4-2氧化層陷阱缺陷分佈分析 12 第五章 實驗步驟與元件量測 13 5-1實驗元件製程 13 5-2量測機台 15 5-3 FinFET 汲極電流對汲極電壓(ID-VD)原理16 5-4 FinFET汲極電流對閘極電壓(ID-VG)原理21 第六章 實驗結果與討論 13 6-1 FinFET 汲極電流對汲極電壓(ID-VD圖) 16 6-1-1 FinFET 在 25°C下不同尺寸17 6-1-2 FinFET 在 55°C下不同尺寸18 6-1-3 FinFET 在 85°C下不同尺寸19 6-2 FinFET汲極電流對閘極電壓(ID-VG圖) 21 6-2-1不同溫度下汲極電流對閘極電壓(ID-VG圖) 22 6-2-2 次臨界擺幅(Subthreshold Swing)分析圖23 6-2-3轉移電導 (Gm)分析圖23 6-2-4閘極啟動電壓 (Threshold Voltage)分析圖24 6-2-5 雜訊功率頻譜(SVG)與頻率關係圖25 6-2-6氧化層缺陷密度 (Not)分析圖25 第七章 結論27 參考文獻28 致謝 摘要 本專題主要研究方向為鰭式電晶體(FinFET)的閘極介電層陷阱 分佈之低頻雜訊的量測與分析。在低頻雜訊（Low-Frequency Noise ） 的 分析下 ，藉由量測 雜訊功率頻譜(Svg)可計算出氧化層缺陷密度 (Not) ，分析缺陷在閘極氧化層內的深淺分布 ，探討不同鰭寬的閘極 介電層缺陷分布，同時影響元件的性能， 並透過這種方式來探討不同 鰭寬的閘極介電層載子分布 。 而分析鰭式電晶體 (FinFET)在不同溫度下 ，量測 ID-VD 與 ID-VGS 的 基本特性並分析 。藉由 ID-VGS曲線計算求得 次臨界擺幅 (Subthreshold S