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逢甲大学电子工程学系专题研究报告-专题周记系统
逢 甲 大 學
電 子 工 程 學 系
專 題 研 究 報 告
奈米鰭式電晶體(FinFET)元件閘極介電層陷阱分佈之
低頻雜訊分析研究
Study of Low Frequency Noise on Oxide Traps
Distribution of Gate Dielectric for Nano
FinFET Device
學 生電子四甲: 蔣政廷(D0139733)
電子四甲 洪偉庭(D0139626)
電子四乙 吳承翰 (D0182715)
電子四乙 陳冠萍 (D0108685)
指導教授 :林成利 博士
中 華 民 國 一 ○ 四 年 十 二 月
目錄
致謝1
第一章 摘要2
1-1中文摘要 2
1-2 英文摘要3
第二章 研究動機 4
2-1鰭式電晶體 (FinFET)簡介 4
2-2 FinFET和 MOSFET優劣比較 5
2-3 ITRS 趨勢預測6
第三章 元件電性 介紹7
3-1短通道效應(Short Channel Effect)7
3-2臨界電壓 (Threshold Voltage)8
3-3汲極引致能障下降(Drain Induced Barrier Lowering)8
3-4 次臨界擺幅(Subthreshold Swing)9
第四章 低頻雜訊10
4-1低頻雜訊原理 11
4-2氧化層陷阱缺陷分佈分析 12
第五章 實驗步驟與元件量測 13
5-1實驗元件製程 13
5-2量測機台 15
5-3 FinFET 汲極電流對汲極電壓(ID-VD)原理16
5-4 FinFET汲極電流對閘極電壓(ID-VG)原理21
第六章 實驗結果與討論 13
6-1 FinFET 汲極電流對汲極電壓(ID-VD圖) 16
6-1-1 FinFET 在 25°C下不同尺寸17
6-1-2 FinFET 在 55°C下不同尺寸18
6-1-3 FinFET 在 85°C下不同尺寸19
6-2 FinFET汲極電流對閘極電壓(ID-VG圖) 21
6-2-1不同溫度下汲極電流對閘極電壓(ID-VG圖) 22
6-2-2 次臨界擺幅(Subthreshold Swing)分析圖23
6-2-3轉移電導 (Gm)分析圖23
6-2-4閘極啟動電壓 (Threshold Voltage)分析圖24
6-2-5 雜訊功率頻譜(SVG)與頻率關係圖25
6-2-6氧化層缺陷密度 (Not)分析圖25
第七章 結論27
參考文獻28
致謝
摘要
本專題主要研究方向為鰭式電晶體(FinFET)的閘極介電層陷阱
分佈之低頻雜訊的量測與分析。在低頻雜訊(Low-Frequency Noise )
的 分析下 ,藉由量測 雜訊功率頻譜(Svg)可計算出氧化層缺陷密度
(Not) ,分析缺陷在閘極氧化層內的深淺分布 ,探討不同鰭寬的閘極
介電層缺陷分布,同時影響元件的性能, 並透過這種方式來探討不同
鰭寬的閘極介電層載子分布 。
而分析鰭式電晶體 (FinFET)在不同溫度下 ,量測 ID-VD 與 ID-VGS
的 基本特性並分析 。藉由 ID-VGS曲線計算求得 次臨界擺幅
(Subthreshold S
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