硅基底多层薄膜结构材料残余应力的微拉曼测试与分析 - 张青川.pdf

No．1 第27卷第1期 实验力 学 V01．27 2012年2月 EXPERIMENTALMECHANICS Feb．2012 JOURNAl。OF 文章编号：1001—4888(2012)01—0001—09 硅基底多层薄膜结构材料残余 应力的微拉曼测试与分析。 邓卫林1，仇巍1，焦永哲1，张青川2，亢一澜1 (1．天津大学，天津市现代工程力学重点实验室。天津300072， 2．中国科学技术大学，中科院材料力学行为和设计重点实验室，合肥230027) 摘要：针对MEMS器件刺备中两种典型的硅基底多层薄膜结构的残余应力问题，本文提出了利 用微拉曼光谱技术测量其残余应力的方法，分析并给出了硅基底多层薄膜结构中的残余应力分 布规律。实验结果表明，在硅基底和薄膜内存在较大的工艺残余应力，残余应力在基底内靠近 薄膜两侧部分呈非线性变化，在基底内主要呈线性变化，并引起基底整体翘曲。基于实验结果 分析，提出了硅基底多层薄膜结构的分层结构模型。本文工作表明微拉曼光谱技术是测量与研 究硅基底多层薄膜结构残余应力的一种有力手段。 关键词：多层薄膜；硅基底；残余应力；分层结构模型；微拉曼光谱 中图分类号：0348．1 文献标识码：A O 引言 微机电系统(MEMS)器件已广泛应用于传感、检测、通信、生物医学等领域，其中硅基底多层薄膜 结构是MEMS器件的重要组成部分n’2]。由于硅基底多层薄膜结构具有的材料性质失配、小尺度特 点，制备中经历温度变化等工艺流程，必然会引起结构内工艺残余应力的产生[3]，并可能引起结构翘曲、 层裂、龟裂以及失效，降低了MEMS器件的工作可靠性【4]。因此，有效测量硅基底多层薄膜结构的残余 应力，研究其分布规律，对改进多层薄膜结构工艺提高器件质量具有重要的意义。 硅基底多层薄膜结构中的工艺残余应力主要源于不同薄膜材料之间以及薄膜与硅基底之间的材料 性质错配，如热膨胀系数的差异，材料自身存在的晶格错配、参杂、缺陷以及相变等[4’5]。目前，常用的 薄膜结构残余应力测量方法是基片曲率光测法和X一射线衍射法(XRD)。曲率光测法是测量基片弯曲 变形，理论依据是Stoney公式【6】。相关的主要工作有：邸玉贤等[7]利用曲率法测量了电化学腐蚀多孔 硅薄膜结构的残余应力；虞益挺等[83利用有限元方法对Stoney公式及其修正式给出的残余应力测量精 度进行了分析，指出曲率测量技术存在曲率空间分布不均匀性现象。XRD技术通过测量晶格间距的变 化实现对多层薄膜结构应力以及残余应力的检测。主要相关工作有：S．Doyle等[9]采用XRD应力测量 技术研究了Ni—Mn—Ga薄膜的残余应力，认为残余应力的大小与基底和薄膜的厚度有关。O．Kraft XRD方法研究了多层集成微系统的残余应力。上述方法中，曲率法是目前常用的一种近似测量方法， 它不适用于多层薄膜结构和局部应力大等情况；XRD技术目前的分辨率与测量精度还难以满足多层薄 -收稿日期：2011．12-16；修订日期：2012-03—7 基金项目：国家自然科学基金项目(NoNo资助 通讯作者：亢一澜．天津大学教授．博士生导师。主要研究方向为光力学与光谱力学测量技术，实验数据分析方法。 万方数据 2 实验力学 (2012年)第27卷 膜结构残余应力的测量需求。 近年来，基于微拉曼光谱的残余应力测量技术发展较快，它具有在线、无损、快速、空间分辨率高 测量，给出了残余应力的分布。在文献F15Z中，Li等针对多孔硅的横观各向同性的材料力学特性，推导 建立了相应的拉曼应力测量公式，给出拉曼频移与应力之间的定量关系以及拉曼频移应力因子。Chen 等n阳利用拉曼光谱技术研究了背向打磨引起硅晶圆的损伤和应力问题，并