微机电系统中牦犝 8厚光刻胶的内应力研究 - 光学精密工程.pdf

第 卷 第 期 光学 精密工程 １５ ９ 　 Ｖｏｌ．１５ Ｎｏ．９ 　 　 　　　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　　　　　　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００７ ９ Ｓｅ．２００７ 　 　 　　 ｐ 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００７０９１３７７０６ 　 微机电系统中犛犝８厚光刻胶的内应力研究 １ ２ 杜立群 ，朱神渺 （ 大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室，辽宁 大连 ； １． １１６０２３ ２．大连理工大学 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室，辽宁 大连 １１６０２３） 摘要：在对基片曲率法常用的Ｓｔｏｎｅ公式进行必要修正的基础上，提出了适合计算 ＳＵ８胶层内应力的理论模型，并采 ｙ 用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化。通过 ＡＮＳＹＳ仿真揭示了基片直径，胶层厚度及后烘温度三者 对基片曲率的影响。仿真结果表明：后烘温度是影响胶层内应力的主要因素。实验测量了后烘温度分别为 、 ５５℃ ７０℃ 和 ８５℃三种条件下的ＳＵ８胶层的内应力。结果表明：降低后烘温度能有效地减小 ＳＵ８胶层的内应力，实验测量值与 仿真计算值基本吻合。内应力的测量为 ＳＵ８胶层内应力的定量研究奠定了基础。 关 键 词： ；内应力测量；基片曲率法； 公式 ＳＵ８ Ｓｔｏｎｅ 　 　 ｙ 中图分类号： 文献标识码： ＴＮ３０５．７ Ａ 　　 犛狋狌犱 狅狀犻狀狋犲狉狀犪犾狊狋狉犲狊狊狅犳狋犺犻犮犽犛犝８犾犪犲狉犻狀犕犈犕犛 狔 狔 １ ２ ， ＤＵＬｉｕｎ ＺＨＵＳｈｅｎｍｉａｏ ｑ （ １．犓犲犔犪犫狅狉犪狋狅狉 狅狉犘狉犲犮犻狊犻狅狀牔 犖狅狀狋狉犪犱犻狋犻狅狀犪犾犕犪犮犺犻狀犻狀 犜犲犮犺狀狅犾狅 狅 狋犺犲犕犻狀犻狊狋狉 狅 狔 狔犳 犵 犵狔 犳 狔 犳 ， ， ， ；