改5半导体光电导器件剖析.pptVIP

第五章 半导体光电导器件简称PC（Photoconductive）探测器 第一节、光敏电阻的工作原理 第二节、光敏电阻的主要特性参数 第三节、几种常用的光敏电阻 第四节、光敏电阻的基本偏置电路和噪声 第五节、应用举例 光敏电阻定义：利用半导体材料的光电导效应制成的光电探测器。 最典型的光电导器件是光敏电阻 优点： 光谱响应宽：紫外－－极远红外 工作电流大，可达数毫安 可测强光，可测弱光 灵敏度高，光电导增益大于1 偏置电压低，无极性之分 缺点： 强光照射下，光电转换线性较差 光电弛豫过程较长 频率响应很低 第一节、光敏电阻的工作原理 1、工作原理及类型 暗电流与光电流 第五章 半导体光电导器件 第一节、光敏电阻的工作原理 第二节、光敏电阻的主要特性参数 第三节、几种常用的光敏电阻 第四节、光敏电阻的基本偏置电路和噪声 第五节、应用举例 第二节、光敏电阻的主要特性参数 一、光电导增益(M) 二、光谱响应率 三、时间常数 四、光电特性与γ值 五、前历效应 六、温度特性 一、光电导增益(M) 定义：光电导受光照工作时，外部光电流与光电子形成的内部电流（qN）之间的比值： 内部光电流 N为单位时间内产生（涌出）的载流子数量，这里以内部光电流命名，但并无电流的方向性 量子效率η 表示一个光子所能产生的电子-空穴对数 二、光谱响应率 定义：特定波长下，输出光电流（电压）与入射辐射通量之比。 三、时间常数 一般对于光脉冲信号用响应时间τ来描述 对于正弦调制的光信号则用频率响应来描述 截至频率：幅值下降到零频时的0.707，功率为零频时的一半。 四、光电特性与γ值 定义：光电流与入射光通量之间的关系 弱光照射时，光电流和光通量关系呈线性 照射光变强时，τ和tdr发生变化，光电流和光通量关系呈非线性，可表示为： Sg—光电导灵敏度，γ—照度指数。γ=0.5~1。 弱光照时，为γ =1时，称为直线性光电导； 强光照时，为γ =0.5，称为非线性光电导 亮电流： 前历效应 定义：测试前光敏电阻所处的状态（无或有光照）对光敏电阻后续测量的影响。 短（暗）态前历效应 无光照放置3分钟---1lx照度测不同时刻阻值---R0/R测 温度特性 温度的变化，导致其长波限、峰值响应波长、响应率等都发生变化。 为了提高灵敏度，必须采用冷却装置，尤其是杂质型半导体受温度影响更明显。 第五章 半导体光电导器件 第一节、光敏电阻的工作原理 第二节、光敏电阻的主要特性参数 第三节、几种常用的光敏电阻 第四节、光敏电阻的基本偏置电路和噪声 第五节、应用举例 第三节、几种常用的光敏电阻 硫化镉(CdS) ⑴.CdS是可见光区最灵敏光电导器件，CdS的响应波长范围0.3~0.8微米，峰值波长0.52微米，接近人眼最敏感的波长。 ⑵.CdS光敏电阻的亮暗电导比在10lx照度上可达1011（一般为106），响应度为50A/lm，响应时间为ms ~s。 ⑶.广泛地用于自动控制灯光，自动调焦和自动相机中 硫化铅(PbS) ⑴.PbS光敏电阻是近红外区最灵敏的光电导探测器件。 响应波长范围：1.0~3.5微米，峰值响应波长为2.4微米，峰值探测率: D*=1.5*1011cm.Hz0.5/W 冷却到干冰温度195K时,光谱响应范围为1.0~4.0微米，峰值波长延伸到2.8微米，归一化探测率可提高一个数量级。 ⑵.缺点：响应时间长，室温条件下为100~300 ms.低温下(77K)可达几十ms。 锑化铟lnSb 室温下长波限可达7.5微米,峰值探测率D*=1.2*109cm.Hz0.5/W ，时间常数为2*10-2微秒。冷却到77K（液氨）时，长波限减少到5.5微米，响应时间为1微秒。这时InSb光敏电阻所对应的峰值波长刚好在大气窗口3~5微米光谱范内，因此得到广泛应用。 碲镉汞Hg1-xCdxTe光敏电阻： a、它是目前所有探测器中性能最优良最有前途的探测器，尤其对8-14微米大气窗口波段的探测。 b、它由化合物CdTe和HgTe两种材料的混合晶体制备而成。由于Cd组分（X量——mol物质的量）不同，得到不同的Eg值。X变化范围1.8-0.4，对应探测长波限3-30微米 碲锡铅系列光敏电阻 a、由PbTe和SnTe两种材料的混合晶体制备。Eg变化范围不大，只能制造出长波限大于2.5um的探测器. b、能工作在8～14微米波段，但探测率D*低，应用不广泛。 第五章 半导体光电导器件 第一节、光敏电阻的工作原理 第二节、光敏电阻的主要特性参数 第三节、几种常用的光敏电阻 第四节、光敏电阻的基本偏置