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激光加工技术在晶硅太阳电池制造中的应用 深圳市大族激光科技股份有限公司 2010年3月18日 卢建刚 高级工程师 lujiangang@ 激光在晶体硅太阳能行业应用简介 激光掺杂技术（Laser Doping) 激光钻孔技术(Laser drilling) 激光刻边技术(Laser Edge Isolation) 主 要 内 容 激光烧结技术(Laser Fired Contacts) 钝化介质膜烧蚀技术(Dielectric layer Ablation)  激光在晶硅太阳能行业应用 激光工艺 应用现状 工业大量应用 工业部分应用 RD实验室 激光刻边(Edge isolation) √ 埋栅极刻槽(LGBC) √ 制绒 (Texturing) √ ID 标记 (Marking) √ 钝化介质膜烧蚀(ablation) √ 掺杂 (Doping Diffusion ) √ 切割 (cutting) √ 背结电池钻孔 (drilling) √ 烧结 LFC (laser fired contacts) √ RISE-EWT (LFC, Structuring , drilling) √ 电池检测(wafer inspection) √ 缺陷修复(Defection Repair) √ 电池分割(Singulation) √ 焊接 (Soldering) √ 应用背景：选择发射极太阳电池(Selective Emitter SE) 要使硅电池正面与金属形成良好的欧姆接触，需要对与金属接触的过渡区域实现重掺杂 理想的掺杂浓度分布应该是： 光收集区域轻掺杂 电极接触区重掺杂 选择发射极作用: 电池有较高的光谱响应，有较高的开路电压和短路电流 发射区与电极有良好的欧姆接触,提高了 填充因子指标 选择发射极结构示意图 激光掺杂技术 实现选择发射极（SE)的五种方法 A: Etch back process B: Diffusion Masking process D:LGBC process C: Self-doping paste process LASER LASER LASER 可选 可选 E: laser doping process Single step laser doping 单步激光掺杂法 必选 LASER 必选 激光作用在掺杂源(钝化层)和硅片表面，利用激光熔化原理，预涂层的掺杂原子扩散到硅基材表面，当激光移开后，硅基材冷却并结晶，与掺杂原子形成合金，称为LIMPID法( laser-induced melting of pre-deposited impurity ) 激光熔融预沉积杂质源掺杂法 -LIMPID法 单步激光掺杂法 激光在整个过程中只起到了局部熔化材料，同时掺杂源在一定的热力学条件下快速扩散到硅表面,形成重掺杂区。 激光的作用 (来自Stuart WENHAM) 激光掺杂的优点 不需用于扩散掩膜设备,简化工艺流程； 不需整体高温处理，避免了产生高温晶格缺陷和杂质缺陷； 电极线宽窄，提高了电池有效吸光面积； 可将钝化层一并去除,未去除的钝化层仍可作为后续的掩膜； 整套工艺设备简单,不产生有毒物质,利于环保； (来自Stuart WENHAM) 激光掺杂技术方案 方案一 高速振镜扫描系统 方案二 高速平台+光束整形 (来自Werner) 激光器要求及选型 前道工艺对激光掺杂效果的影响 激光工艺参数对电池指标影响 掺杂源制作工艺对电池性能影响 后道工艺(电镀)对电池指标的影响 工艺开发内容 工艺参数优化及影响 脉冲重叠率: △X, △Y脉冲能量密度: Ep脉冲宽度: Tp熔化循环次数:Nmelt扫描路径优化 产业化难点 加工效率 窄的加工工艺窗口 掺杂区域接触点稳定性 参考资料 [1] Finlay Colville Laser-assisted selective emitters and the role of laser doping， Photovoltaics International 2009 [2] Dave Clark Lasers in SOLAR Cell production 2009/10 [3] Ulrich et.al Selective emitter by laser doping from phosp