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2017-07-02 发布于河南
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AO6602L;中文规格书,Datasheet资料.pdf

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AO6602L;中文规格书,Datasheet资料

AO6602 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary The AO6602 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS= 30V -30V complementary MOSFETs form a high-speed power ID= 3.5A (VGS=10V) -2.7A (VGS=-10V) inverter, suitable for a multitude of applications. R R DS(ON) DS(ON) 50m (VGS=10V) 100m (VGS=-10V) 70m (VGS=4.5V) 170m (VGS=-4.5V) D1 D2 TSOP6 Top View Bottom View Top View G1 1 6 D1 S2 2 5 S1 G1 G2 G2 3 4 D2