砷化镓薄膜型太阳电池特性探讨.PDFVIP

技術瞭望 文／曾明俊 （國立成功大學光電工程系　博士後研究員） 武東星 （大葉大學　校長／國立中興大學材料科學與工程學系　特聘教授） 洪瑞華 （國立成功大學光電工程學系　教授） 砷化鎵薄膜型 太陽電池特性探討 1.簡介 最早提出 ，並有商品化的產品 ， G e ）三接面太陽電池 ，在2 4 0 個 SHA RP 主要是針對太空應用所需 太陽光條件下 ，達最高轉換效率 　　一般化合物太陽電池 ，不論是 要的 「輕量化」需求 ，而將太陽電 為4 0 . 7 % [ 2 ] 。同年美國國家再生 單接面 ，雙接面或是三接面 ，皆成 池轉移至高分子基材 ，並提出轉移 能源中心 （N at i on a l R en ew ab l e 長於鍺基板或是砷化鎵基板上 ，因 至高分子基材後 ，其太陽電池的下 Energy Laboratory, NREL ）發表以 此為增加太陽電池的轉換效率 ，在 電極 ，可以用來作為反射鏡面層 ， Ga0.5In0.5P/GaAs/Ga0.7In0.3As形成三 磊晶結構上都傾向於往 「太陽電池 將入射光反射回太陽電池形成二次 接面太陽電池 ，在8 1個太陽光條件 的最佳化能隙值設計」及 「基板轉 吸收[1] ，因此為滿足二次吸收的要 下 ，達最高轉換效率為3 8.9% [3] ， 移」的方向前進 ，便得以吸收最大 求 ，所以在磊晶結構設計時 ，便可 2008年美國NREL研發單位 ，提出 量的太陽光源 ，以取得最大的光 以將吸光層減薄 ，因此入射光經由 為符合最佳能隙值匹配的理論 ， 電流及開路電壓輸出。太陽電池的 背部鏡面反射後 ，可以得二大優 並使用二個獨立的Metamorphic的 最佳化能隙設計係採用 「形變式 點 ，第一為增加在長波段的外部量 設計來達此理想 ，結構Ga0.5 1In0.49P/ （Metamorphic, MM ）」並搭配漸 子效率 ，第二為可以提高太陽電池 I n 0 .0 4 G a 0 .9 6A s/ I n 0 .3 7 G a 0 .6 3A s 三接 變層 （Grading layer ）來得到最佳 的抗輻射能力 ，且又不失去原有元 面太陽電池 ，最高效率為4 0 . 8 % [4] ，2009年更由德國 化能隙值的太陽電池 。另一方面 ， 件效能 。將太陽電池轉移至高分子 （@326suns ） 近幾年的研究亦朝向基板轉移的方 基板雖然可以達到太空上的需求 ， 的研發機構Fr aunhofer I SE提出除 式前進 ，以減少整體太陽電池成本 但是僅使用於太空上 ，並無法應用 了達到最佳能隙值匹配之外 ，更要 的支出及提高元件的穩定性 。目前 聚光型系統中 ，亦無法為太陽電池 將電流匹配達到最佳化的想法 ，結 在太陽電池領域中 ，美國N REL 、 提供散熱的路徑 。2007年到2009年 構為Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As/Ge三 美國Spectrolab 、美國Emcore 、德國 間 ，主要是由NREL及Emcore為主 接面太陽電池元件的效率更衝破 [5] 。基於上述 Fraunhofer ISE及日本SHARP等為5 要發展基板轉移技術的核心廠商 ， 4 1.1% （@454 suns ） 大發展化合物太陽電池的指標性廠 轉移目的是為了要於聚光型模組中 各研究機構及公司的設計概念及本 商 ，其成果中均提及Metamorphic 提升 「元件效率」及 「穩定性」， 研發團隊核心技術 ，因此本文章將 及基板轉移等概念 ，如表1 ，由表1 以節省成本的支出 。2 0 0 7年美國 針對將砷化鎵基板太陽電池轉移至 中得知從2006年~2009年中 ，均提 Spectrolab公司採用多接面技術製作 具有高熱導特性的銅基板上 （厚度 及M etamorphic設計方法 ，而基板 的Ⅲ- Ⅴ族材料之磷化銦鎵