硅光子器件及其集成技术的研究.PDFVIP

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  • 2017-07-02 发布于天津
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硅光子器件及其集成技术的研究

囝 史核心期 硅光子器件及其集成技术的研究 蔡 进 ,张慧娟 ,王成丽 ,陶智勇2 (1.湖北第二师范学院,武汉 430205;2.武汉邮电科学研究院,武汉 430074) 摘 要:主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分 析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成 技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤通信系统的要求。 关键词:硅光器件;单片集成技术;光纤通信系统 中图分类号 :TN256 文献标识码 :A 文章编号:1002—5561(2012)06—0004—03 S一tudIvof‘si10lic‘onph0otoni1cd0evIicesand‘ theirintegrationtechnology CAJ ,Z NGHui-juan , NGCheng-li, 0Zhi-yong f1.HubeiUniversityofEducation,眦 an430205; 2. anResearchInstituteofPostandTelecommunications,眦 an430074。China) Abstract:Varioussiliconphotonicdevicescovetingpassivetoactivefunctionshavebeendevelopedandtheir monolithically-integratedtechnology。Thispaperstudiesonpolarizationdiversitycircuitforsiliconphotonics, variableopticalattenuatorbasedonasiliconwirewaveguide,germanium photodectectorsna dtheirtechn ical parameters,thengemr na ium photodiodeandavariableopticalattenuatorintegratedonasiliconwirewaveg— uideplatfomr ,VMUXmonolithicintergationtechnoloyg arefollowed.Sotheperfomr naceofsiliconphotonic deviceshavebeenabletomeettherequirementsofmodem opticalfibercommunicationsystems. Keywords:siliconphotonicdevice;monolithically-intergatedtechnoloyg ;opticalfibercommunicationsystem 0引言 波导的芯层和弯曲半径都可以做到很小 硅波导芯层 随着现代光纤通信系统流量的迅速增加 .传统的 满足单模条件 的典型尺寸为 500Ixmx2OOl~m.而且 当 分立光器件 已经越来越难满足光纤通信系统的需求 。 其弯曲半径为数微米时,弯曲损耗可 以忽略不计。 目 研究用于光模块 中的高性能、低功耗 、低成本 的高集 前硅基波导在 1550nm波长处的传输损耗经过改善可 成度光芯片已成为迫切需要。 目前 .基于硅波导的光 以达到 1~2dB/cm 硅波导与光纤的耦合损耗可以通过 子集成技术 已有一定研究,各种无源 、动态硅波导光 使用带宽超过 200nm l1『模斑转换器和模场直径为 器件已经相继研制成功.如滤波器、调制器等。而且很 4_3m高折射率差光纤2[1降低到 0.5dB。由于硅波导的 多科研机构 以及大公司正在通过运用锗材料的异质 以上优点。我们可 以研制 出各种具有低插损 、高集成 外延技术和Ⅲ一V族材料的晶片键合技术研制有源硅

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