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第30卷第4期 上海 电 力 学 院 学报 V01．30．No．4 2叫4年8月 Joumalof of ElectricPower Aug． 2叫4 shan曲aiuniVersity DOI：10．3969／11．issn．1006—4729．2014．04．020 InSb量子点的微观结构及其光学性质 任平1…，邓惠勇2，戴宁2 (1．上海电力学院环境与化学工程学院，上海200090； 2．中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083) 摘要：采用水平滑移式液相外延技术制备了不同形貌的Insb量子点，并利用扫描电子显微镜(sEM)、能量 色散谱(EDs)和Raman光谱研究了量子点的微观结构及其光学性质．sEM表明制备的Insb量子点易发生团 cm。1波数处，RaImn 聚，其粒径随着过冷度的增大而增大．EDs谱中出现了量子点的In和sb元素峰．在182 光谱中观察到Insb量子点的横向光学声子(To)模式． 关键词：Insb量子点；液相外延；微观结构 文献标志码：A 文章编号：1006—4729(2014)04一0388一04 中图分类号：刑215；-IN304．054；0484．1 and ofInSb Dots Microstructures Quantum opticalProperty REN Pin91．-，DENGHuiyon92，DAINin92 Po州er， (1．矗ooZ妒EMiron舢m以Z以n矗吼emic以ZE昭iMeri昭，跏以昭矗以i‰如e邢叻矽Ek疣c ．S^以愕矗以i200090，C矗in以；2．Ⅳ以fiondZ三以60r以fory扣r，7矿i以re矗P矗弘ics，S矗以719矗以i^fifufe盯 z毫c矗nic以Z 200083，(?矗in以) P矗，憎ics，C矗i，陀se4c以矗emyq，．％ie，∽es，S矗以719矗以i InSb different are byhorizontally Abstract： quantumdots(QDs)wimmorph0109iesprepared microstmcmresand are liquidphaseepitaXy(”E)technique．Their opticalproperty shding electron investigatedbyscanning microscope(SEM)，energydispersiVex—rayspectroscopy meir matInSb tendto and Raman shows (EDS)andspec仃um．SEM QDs con910merateparticle test