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2017-07-03 发布于河南
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BUK762R0-40C,118;中文规格书,Datasheet资料

BUK762R0-40C N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 — 20 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Philips Ultra High-Performance Automotive (UHP) TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in Automotive critical applications. 1.2 Features 175 °C rated Low on-state resistance Q101 compliant Standard level compatible 1.3 Applications 12 V loads Automotive systems General purpose power switching Motors, lamps, solenoids 1.4 Quick reference data Table 1. Quick reference Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit ID drain current VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; [1][2] - - 100 A see Figure 1 and 4 Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2 - - 333 W Static characteristics RDSon drain-source on-state VGS = 10 V; ID = 25 A; - 1.7 2 mΩ