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內容大綱 靜電放電簡介 電子元件及產品之靜電放電測試 靜電放電防制原理 電子產品在製造作業中之靜電防制措施 什麼是靜電 靜電(靜止的電荷) 物質由於某種過程(如剝離,磨擦或感應)而使其電荷不平衡,並在表面累積靜止的電荷. 原因：剝離、磨擦、感應……. 機制：物質因失去或得到電子而帶電 隱藏的危險-靜電放電 原因：電位不同物體間的電荷移轉 不一定伴隨有電弧或火花發生 一般可感受到的靜電壓 低於此值時元件仍非常容易損壞 首要的靜電防護概念 庫倫定律 同性電荷相斥 異性電荷相吸 庫倫定律 Q=CV , V=Q/C Q=電量; V=電壓; C=電容 靜電到地途徑 手環 工作桌面 剝離生電 摩擦生電 Metal-leaf Electroscope 影響摩擦生電電量的因素 材料的影響 正(positive) ●空氣(Air) ●人手(Hands) ●玻璃(Glass) ●毛髮(Hair) ●石英(Quartz) ●尼龍(Nylon) ●羊毛(Wool) ●絲綢(Silk) ●鋁(Aluminum) ●紙(Paper) ●棉(Cotton) ●鋼(Steel) ●木 (Wood) ●橡膠(Rubber) ●金(Gold) ●多元脂(Polyester) ●聚胺脂(Polyethylene) ●聚乙烯(Polyethylene) ●聚丙烯(Polypropylene) ●乙烯基(Vinyl) ●矽(Silicon) ●鐵弗龍(Teflon) 負(Negative) 典型的ESD電壓 靜電放電的模型 人體帶電模型(Human Body Model,HBM) Discharge to the Device 機器帶電模型(Machine Model,MM) Discharge to the Device 元件帶電模型(Charged Device Model,CDM) Discharge from the Device Human Body Model 模擬由站立個人之手指尖端放電至元件的現象 HBM的波形 Machine Model 70年代，日本人認為HBM不足以代表wrost-case而提出，適用於自動組裝之製造環境 HBM與MM波形的比較 MM的電容值較HBM大→儲存的電荷較多 R很小→電流較大，速度較快 Charged Device Model 由T.S.Speakman 於1974年提出 元件本身會帶電荷(來自於磨擦或感應)?元件腳接觸導電表面?高能量快速放電?元件損毀 現代自動化組裝之製造環境中 最重要的ESD模型 -觀念簡單，再生困難 -速度快，難保護 CDM Event的來源 -測試機台 -自動插件 -IC的包裝(Tube) Charged Device Model；CDM Charged Device Model；CDM 1 ns內電流可上升到15A 在高頻時，電容幾乎可視為短路 因此CDM電流會由Gate oxide放電 Die size 較大的元件→CDM越嚴重 -電容較大→儲存電荷較多 -製程越先進→Gate oxide越薄 ESD by Induction ESD的三種模型 HBM與MM →人體、機器或環境帶電 -HBM是最古老且最常發生的模式 但並非最嚴重的危害模式 -MM造成的故障與HBM類似 但電壓卻遠低於HBM，速度亦較HBM快 CDM →元件帶電 -模擬一帶電的元件經由一腳接地而放電的現象 .造成ESD故障的主要原因 .CDM放電比HBM或MM快100倍 .CDM放電電流峰比HBM或MM快40倍 -上升時間最快速 ESD的影響 ESD事件—因局部高溫或電位差，造成半導體元件的損壞 測試時的條件與實際狀況可能有差異 可能發生在製程中或使用中的任何階段，如wafer processing,packaging,testing,board assembly,transportation,in the field 成本問題、客戶抱怨、商譽的損失 潛在故障 故障分析基本步驟 Why ESD Test? 為何要作ESD測試? -靜電敏感零組件(ESD-Sensitive Item)分級 -故障分析→設計改善、製程改善 影響ESD Sensitivity之因素 -ESD之來源及其特性 -元件之種類 .IC,MR,FPD .小尺寸、高工作頻率、高電路密度 -半導體製程 -保護線路之設計 ESDS元件敏感等級 ESDS元件敏感等級-Hum