自旋电子器件的参数检测和关键材料研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 自旋电子学是电子学和磁学的交叉学科，又称为磁电子学。自旋电子器件不 仅利用载流子的电荷特性，而且利用载流子的量子自旋特性来处理信息。与传统 的半导体器件相比，自旋电子器件具有稳定性好、处理速度更快、降低功率损耗 以及集成密度高等优点。 研制同时具有放大、开关和存储能力，并且能够利用现有半导体工艺技术的 自旋电子器件，具有非常重要的意义。在SpinFET 概念提出后，以自旋在半导体 内的注入、传输、控制和检测为目标的“半导体自旋电子器件”成为新的研究方 向。其中，自旋参数检测实验和自旋磁性材料是解决上述问题的关键。 本论文研究了利用极化电子与空穴复合的“自旋发光二极管测量法”以及“量 子阱饱和吸收光谱法”，为下一步研究 GaN 基异质结自旋 LED 和量子阱关键结构 奠定了实验基础。 接着研究了自旋磁性材料的制备等问题，并在此基础上提出了一套GaN稀磁 半导体材料的生长和检测研究方案。结合微电子学院在GaN材料生长及其特性的 多年研究成果，(Ga,Mn)N和(Ga,Cr)N 稀磁半导体材料的生长和检测将成为本课题 实验研究的重点。 关键词：半导体自旋电子学 自旋检测 自旋磁性材料 稀磁半导体材料 GaN Abstract Abstract With the advancement of material growing process and mask graphics process technology, scientists are trying to design a “spintronic device” which is made up of spin carriers and magnetic materials ,and which is considerd to be one of the next generation integrated chip technology taking place of microelectronics.After years` research , a new cross- subject which is named after “spintronics” is formed. It is important to develop a spin device having the abilities of amplification , switch and memory, also making use of existing semiconductor technology would be better. Since promoting the idea of SpinFET , “semiconductor spintronics device” became a new direction of the studies, that contains four inferior aims : spin injection ,spin transportation,spin control and spin detection in semiconductor. Spin injection and spin detection are the key aspects to develop semicondutor spintronics device.In the paper, the basic spin concepts,main physics phenomenons, mechanisms and experiments are discussed firstly.And then bring f