振荡电路 - read.ppt

第 4 章正 弦 波 振 荡 器 4.2 反馈振荡原理 4．4晶 体 振 荡 器 4.5压 控 振 荡 器 4.６集成电路振荡器 4.7 ＲＣ 振 荡 器 4．8 集成高频正弦波振荡电路的选用与实例介绍 4.9 章末小结 所以 由 可求得压空灵敏度 可见, 正向和负向压控灵敏度略有差别, 说明压控特性是非线性的。 4.5.3晶体压控振荡器 为了提高压控振荡器中心频率稳定度, 可采用晶体压控振荡器。在晶体压控振荡器中, 晶振或者等效为一个短路元件, 起选频作用； 或者等效为一个高Ｑ值的电感元件, 作为振荡回路元件之一。 通常仍采用变容二极管作压控元件。  在图4．5．3所示晶体压控振荡器高频等效电路中, 晶振作为一个电感元件。 控制电压调节变容二极管的电容值, 使其与晶振串联后的总等效电感发生变化, 从而改变振荡器的振荡频率。  晶体压控振荡器的缺点是频率控制范围很窄。 图4．5．3所示电路的频率控制范围仅在晶振的串联谐振频率ｆs与并联谐振频率ｆp之间。 为了增大频率控制范围, 可在晶振支路中增加一个电感Ｌ。 Ｌ越大, 频率控制范围越大, 但频率稳定度相应下降。 因为增加一个电感Ｌ与晶振串联或并联, 分别相当于使晶振本身的串联谐振频率ｆs左移或使并联谐振频率ｆp右移, 所以可控频率范围ｆs～ｆp增大, 但电抗曲线斜率下降。 从图4．5．4中可以很清楚地说明这一点。 在图4.5.4中, (a)图是串联电感扩展法原理。 其中左图为等效电路, 右图中两条虚曲线是晶振的电抗频率曲线, 一条斜直虚线XL=ωL表示加入的电感L的电抗特性。由于晶振与L串联, 所以两者的电抗频率曲线相加, 就是扩展后的总电抗频率曲线, 如两条实线所示。 f′s是扩展后的串联谐振频率。  (b)图是并联电感扩展法原理。 左图为等效电路, 右图中两条虚曲线是晶振的电抗频率曲线, 三条实线是扩展后的电抗频率曲线, f′p是扩展后的并联谐振频率。由于分析并联关系采用电纳特性更加方便和清楚, 故(c)图给出了(b)图对应的电纳频率曲线。图中两条虚线B1和B2是晶振的电纳频率曲线, 另一条虚线BL=- 表示加入的电感L的电纳特性。 由于晶振与L并联, 所以两者的电纳频率曲线相加, 就是扩展后的总电纳频率曲线, 如两条实线所示。这两条实线变换到(b)图, 即为扩展后的总电抗频率曲线。  图4.5.5是应用串联电感扩展法原理的晶体压控振荡器实用电路。该电路中心频率约20 MHz, 频偏约为10 kHz。  4.6.1差分对管振荡电路 在集成电路振荡器里, 广泛采用如图4.6.1（ａ）所示的差分对管振荡电路, 其中V2管集电极外接的ＬＣ回路调谐在振荡频率上。（ｂ）图为其交流等效电路。 (b)图中Ree为恒流源I0的交流等效电阻。可见, 这是一个共集—共基反馈电路。 由于共集电路与共基电路均为同相放大电路, 且电压增益可调至大于１, 根据瞬时极性法判断, 在V1管基极断开, 有ub1↑→ue1(ue2)↑→uc2↑→ub1↑, 所以是正反馈。在振荡频率点, 并联ＬＣ回路阻抗最大, 正反馈电压uf（uo）最强, 且满足相位稳定条件。 综上所述, 此振荡器电路能正常工作。 4.6.2单片集成振荡器电路Ｅ１６４８ 现以常用电路Ｅ１６４８为例介绍集成电路振荡器的组成。  单片集成振荡器Ｅ１６４８是ＥＣＬ中规模集成电路, 其内部电路图如图4.6.2所示。  Ｅ１６４８采用典型的差分对管振荡电路。 该电路由三部分组成：差分对管振荡电路、放大电路和偏置电路。V7、V8、 V9管与10脚、12脚之间外接ＬＣ回路组成差分对管振荡电路, 其中V9管为可控恒流源。振荡信号由V7管基极取出, 经两级放大电路和一级射随后, 从③脚输出。 第一级放大电路由V5和V4管组成共射—共基级联放大器, 第二级由V3和V2管组成单端输入、单端输出的差分放大器, V1管作射随器。偏置电路由V10～Ｖ14管组成, 其中Ｖ11与Ｖ10管分别为两级放大电路提供偏置电压, V12～Ｖ14管为差分对管振荡电路提供偏置电压。V12与Ｖ13管组成互补稳定电路, 稳定Ｖ8基极电位。若Ｖ8基极电位受到干扰而升高, 则有ub8(ub13)↑→uc13(ub12)↓→ue12(ub8)↓, 这一负反馈作用使Ｖ8基极电位保持恒定。  图4.6.3是利用E1648组成的正弦波