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摘要 近年來隨著精密加工機、精密量測檥器、半導體製造設備的高精密化與光電業的發展，對於精密定位技術有著越來越高的要求。精密定位的定義為何?一般是以其定位的精度區分，精密定位是0.1~1μm的精度，超精密定位是0.01~0.1μm，定位系統就是藉由傳動機構，使受控體沿著規定的路徑移動，進而達到預定為位置。壓電材料具有奈米級的解析度，響應頻寬可達到千赫等級，它擁有耗電量少、無雜訊、體積小、反應快、發熱少、精密度佳、轉換效率高和控制容易以及有足夠的剛性、系統結構簡單、無電磁干擾等多方面的優點。高解析度及穩健的驅動力等優點，是欲達到微米級甚至耐米級的定位最好的材料。 本文是設計一個單層的撓性結構，完成能夠做XYΘz三自由度的精密定位平台。利用撓性鉸鏈為基礎的撓性結構配合積層式壓電致動器，通入電壓的大小使壓電材伸縮，以達到施力的目的，驅使結構產生精密微小變形(也就是材料的滑移現象)，進而到達奈米級的10nm位移解析度。 前言 精密定位技術是製造產品、測量物體尺寸、運轉各種機器之機械工程上的重要技術之一。隨著精密工程的不斷進步，不論是半導體產業、精密機械工業、生物細胞領域、光電系統、顯微機構、表面工程、STM、SPM等方面，皆朝微小化、精密化的方向前進，對於精密定位技術有著越來越高的要求，並受到極大的重視。 奈米級的定位系統其大致上有三種簡單的方式可達到奈米級之位移解析﹝1﹞，第一種方式是利用滯滑現象的摩擦驅動平台﹝2﹞﹝3﹞﹝4﹞，第二種是利用夾持力Inchworm式平台﹝5﹞，最後是利用材料彈性變形而成的高精度定位平台﹝6﹞﹝7﹞。 奈米級定位平台之研究已行之有年了，使用的致動方式有很多，1991年Kanai [8]等利用液壓(hydraulic)致動器，配合平面軸承導引(plain bearing guideways)，在200kg之荷重下，達成1nm的定位解析度。1992年Wang和Busch-Vishniac[9]利用磁變形材料，以及1.5A電流通於磁變形材料上的線圈，使材料發生形變而達到精密定位的目的，其定位機構為兩軸，解析度可達50nm。同年，Nomura與Suzuki[10]設計出一具有六軸精密定位之機構，其中X、Y利用摩擦驅動機構，並配合滾動導軌，產生奈米級的解析度。 近幾年來的研究大都是壓電致動式的平台，國內外已有相當多的相關paper。由於壓電材料具有體積小、反應快、機電轉換效率高與生熱少，並具有奈米級甚至次奈米的解析度等優點，因此非常適合做為微定位平台之致動器。 1991年Dudanikov[4]等利用壓電致動器結合電磁力，研發出幾十nm的XYθ定位儀。1994年Smith[3]等利用PZT與磁鐵結合V型槽跟圓桿，三層疊在一起，製出XY方向有10nm解析的平台。1996年Tipissev[1]等分別利用慣性、震動、及壓制(摩擦)三種簡單的方式，可達10nm~1000nm解析度。1996年Zhang[11]等設計一撓性結構以PZT施力產生變形，可達到5nm的精度。1998年Chang[12,13]等以組合平台的方式設計出XYθZ之壓電驅動微定位平台，最大位移為17.8μm/150V，最小位移解析度10nm，最大旋轉位移為0.58μrad/150V，%以下之位移誤差。 第一科大劉永田[14]等，第一階段輸入電壓到壓電元件，使壓電元件產生膨脹，讓打擊部撞擊移動檯，使移動檯產生微動，第二階段是利用彈簧的反彈力撞擊移動檯，再度使移動檯產生移動，如此反覆的動作就可使移動檯達到自走的功能。 由於使用了壓電材料作制動器，所以最大的位移量受限於壓電制動器的伸長量，因為壓電制動器的伸長量通常在幾微米到幾百個微米之間，因此通常會與其它平台（例如油壓平台、電磁式旋轉步進馬達配合螺桿的平台）做整合，一個作小位移的控制，一個作長行程的作動，這樣定位平台既有長行程又有很高的精密度。 微定位平台之研究已行之有年了，且廣泛地應用於各式系統中，未來發展的方向是更高精密度、更長行程、單層結構實現更多自由度。 本文依前述三個發展方向進行研就究。為達到更高精度，採用彈性變形的方式，以提高位移的解析度。為達成單層結構實現更多自由度，以單層撓性結構實現平面XYΘz三自由度。 系統設計與原理 近年來在光學、精密機械及小型馬達等方面，對加工精密度之要求越來越高達1(m以下程度，綜觀現有的致動器唯有壓電致動器才能合乎此精密度，如表（一）。因而各國無不積極研發壓電式致動器(Piezoelectric Actuator)，它擁有耗電量少、無雜訊、體積小、反應快、發熱少、精密度佳、轉換效率高和控制容易等多方面的優點。雖然壓電元件受本身材料遲滯現象(Hysteresis)的影響，在位移上並非完全線性的表現，然而經由回授控制後，仍能使系統擁有0.01(m左右的