无电镀钴钨磷与镍磷薄膜之微观结构对扩散阻障能力影响之研究薄膜 .pdf

無電鍍無電鍍鈷鎢磷鈷鎢磷與鎳磷與 鎳磷薄膜之微觀結構對擴散阻障能力影響之研究薄膜之微觀結構對擴散阻障能力影響之研究 無電鍍無電鍍鈷鎢磷鈷鎢磷與與 鎳磷鎳磷薄膜之微觀結構對擴散阻障能力影響之研究薄膜之微觀結構對擴散阻障能力影響之研究 學生 ：黃努涵 指導教授 ：謝宗雍博士 摘摘 要要 摘摘 要要 本論文研究 不同微觀結構之無電鍍鈷鎢磷 （Electroless Co （W,P ））與鎳磷 （Electroless Ni （P ））薄膜對銲錫 （Solder ）之擴散阻障性質及界面反應 ，以了 解其應用於銅製程覆晶接合 （Flip-chip Bonding ，FC ）之底部金屬化（Under Bump Metallurgy ，UBM ）之可行性。實驗先在預鍍鈦 、銅的矽晶片上長成無電鍍Co(W,P) 或Ni(P) 薄膜 ，藉由改變鍍液的溫度 、pH 值等條件製成不同磷含量之非晶 （Amorphous ） 與 複 晶 （Polycrysatlline ） 等 無 電 鍍 層 ， 接 著 鍍 上錫 銀 銅 （Sn-3.0Ag-0.5Cu ）或共晶錫鉛 （37Pb-63Sn ）銲錫，經250°C 、1小時之液態時 效（Liquid-state Aging ）與150°C 、1000小時之固態時效 （Solid-state Aging ）後， 再分析無電鍍層與銲錫之界面反應以了解其擴散阻障性質 。經液態時效後，複晶 Co(W,P)與SnAgCu 界面形成約5 µm 厚 之CoSn3 介 金屬化 合物 （Intermetallic Compound ，IMC ），且其隨熱處理時間增長而增厚 ，IMC與複晶 Co(W,P) 界面則 出現富鎢層 ；在Co(W,P) 為非晶時 ，介金屬相則球化（Spallation ）進入銲錫區 ， IMC與非晶 Co(W,P) 界面則出現富磷層 ；在固態時效部分 ，複晶與非晶Co(W,P) 與SnAgCu 界面均形成約2至3 µm厚之(Cu,Co) Sn 。在Ni(P)薄膜部分 ，無論其結 6 5 構為何 ，經液態時效後其與PbSn 界面均形成約2至3 µm厚之Ni Sn 介金屬相 ，但1 3 4 小時後不再增厚 ；介金屬相與Ni(P)之間出現富磷層 ，磷的累積量與Ni(P)之原始 磷含量有關 。在固態時效之各種Ni(P)薄膜試片中亦見到類似結果 。無論Co(W,P) 或Ni(P)薄膜結構為何 ，其阻擋銲錫的擴散均以犧牲型阻障層為主要機制，但以 非晶結構之消耗率最慢 ，故為最理想之阻障層微觀結構。 I The Influence of Microstructures of Electroless Co(W,P) and Ni(P) Layers on the Diffusion Barrier Capability to Solder Student ：N.-H. Huang Advisor ：Dr. Tsung-Eong Hsieh Abstract This work studies the diffusion barrier properties of electroless Co(W,P) and Ni(P) layers to lead-free SnAgCu or eutectic PbSn solder so as to explore their applicability to under bump metallurgy (UBM) for f