新产品介绍： 1 mb quad spi nvsram.ppt

001-96332 负责人: SKRG 版本*A 技术负责人：EWOO 001-96332 负责人：GRAN 版本*A 技术负责人：EWOO 001-96332 负责人: SKRG 版本*A 技术负责人：EWOO 1 Mb Quad SPI nvSRAM新产品介绍 新产品介绍：1 Mb Quad SPI nvSRAM 不再需要电池，而且可以减少引脚数量， 但仍可以保持高速非易失性RAM的性能 估计20142年非易失性RAM（NVRAM）的全球市场1可达5.9亿美元， 至2018年，以年均10%增长率成长 赛普拉斯的1 Mb Quad SPI3nvSRAM应用包括： 计算机和网络 工业自动化 RAID存储 这些应用使用了掉电时要求马上能可靠捕获数据的高性能系统 这些系统需要高速的并行NVRAM数据吞吐量的性能，并要求Quad SPI接口的引脚数量少， 该特点是设计人员需要首先考虑的 购买这类系统的客户要求无电池的NVRAM解决方案 目前的NVRAM解决方案（电池供电SRAM）不能满足这些要求 利用行业内从电池供电的并行SRAM转到使用Quad SPI NVRAM的趋势 对可靠性和性能的需求，不断推动了 非易失性RAM的增长 3a 1 Mb Quad SPI nvSRAM新产品介绍 1 Total Available Market — 现有市场总量 2 Web-Feet研究，赛普拉斯半导体公司研究 3 Quad串行外设接口 赛普拉斯：我们的闪存、SRAM和NVRAM是业界最佳的与其他竞争对手的存储器产品系列相比 赛普拉斯为嵌入式系统提供最广泛的高性能存储器系列 产品类别 赛普拉斯 竞争对手 功能优势 度量水平 ISSI 美光 东芝 华邦 旺宏 富士通 业界最佳的NOR 闪存 并行NOR闪存 ? ? ? ? ? 最大读取带宽最快编程/擦除速度 102 MBps 串行NOR闪存 ? ? ? ? ? ? 最大读取带宽最快编程/擦除速度 160 MBps HyperFlash?1 ? ? ? 最大读取带宽 333 MBps 业界最佳的SRAM QDR?-IV同步SRAM ? ? 最高RTR （随机数据处理速率） 2.1 GT/s 带ECC2的异步SRAM ? ? ? 最高可靠性 0.1 FIT3 微功耗SRAM ? ? 最低待机电流 1.5 μA 业界最佳的NVRAM 串行F-RAM?4 ? ? 最低待机电流 100 μA 并行nvSRAM5 ? ? ? ? 最快的NVRAM6 20 ns AGIGARAM?7 ? 容量最大的 NVRAM6 16 GB 1 赛普拉斯的NOR闪存存储器产品系列，引脚数量是并行NOR闪存存储器引脚数量的1/3，同时可提供比Quad SPI NOR闪存存储器更大的带宽 2 纠错码 3失效率（十亿小时） 4 铁电RAM 5非易失性SRAM 6非易失性存储器，它允许按照任意的随机顺序对任意存储器位置直接进行读写访问7赛普拉斯商标名称 3b 今天您会听到的术语 非易失性存储器（NVM） 存储器在掉电时仍保留数据 非易失性随机存取存储器（NVRAM） 允许通过任何随机顺序直接访问存储数据的非易失性存储器（NVM） 写入耐久性 NVM单元损坏前，可以对其进行的重写操作次数 硅 — 氧化硅 — 氮化硅 — 氧化硅 — 硅（SONOS） 用于创建非易失性存储器存储单元的晶体管，它由多晶硅栅（S）、氧化氮氧化（ONO）栅极电介质和硅衬底（S）组成。 非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM） 带有SONOS NVM单元（嵌入到各SRAM单元内）的快速SRAM存储器，掉电时可以保留数据 Quad串行外设接口（Quad SPI） 组合四个独立SPI通道的高速度接口，以提高串行总线吞吐量 电可擦除并且可编程的只读存储器（EEPROM） 使用浮栅技术保存数据的通用NVM 电池供电SRAM（BBSRAM） 连接到电池的SRAM存储器，掉电时能够保留数据 有害物质的限制（RoHS） 是指防止在电气组件内使用有害物质的欧盟指令 独立磁盘冗余阵列（RAID） 使用两个或更多磁盘驱动器的存储技术，以用于冗余性能 4 1 Mb Quad SPI nvSRAM新产品介绍 高速度NVM设计问题 1. 很多系统需要使用带有高写入耐久性的快速NVM 传统EEPROM和闪存NVM的写时间较长（ 1 ms），并且写入耐久性受限 低功耗异步SRAM的访问时间比较短，但需要电池备份，以便在发生掉电时可以存储数据 并非大多数NVRAM都为16引脚的串行接口提供足够的功能，因此并不能与44引脚的高速度并行接口相匹配 2. BBSRAM解决方案被迫面对不期望的权衡 电池会占用电路板面积，并需要一