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本征半导体(intrinsic semiconductor)的电学性能
;;回火;;;;;;;半导体(semiconductor)的电学性能;;晶体半导体;;;;半导体的应用;;半导体中电子的能量状态－能带 ;半导体中电子的能量状态－能带;半导体中电子的能量状态－能带;本征半导体 (intrinsic semiconductor)的电学性能;本征半导体 (intrinsic semiconductor)的电学性能;本征半导体 (intrinsic semiconductor)的电学性能; 在无外电场作用下，自由电子和空穴的运动都是无规则的，平均位移为零，所以并不产生电流。但在外电场的作用下，电子将逆电场方向运动，空穴将顺电场方向运动，从而导电成为载流子。; 本征载流子的浓度
本征载流子的浓度表达式：
本征载流子的浓度ni＝pi与温度T和禁带宽度Eg有关。随着温度T的增加，ni＝pi显著增大。Eg小的载流子浓度大，Eg大的载流子浓度小。
;T=300K, Si的Eg=1.1eV，ni=1.5×1010cm-3
T=300K, Ge的Eg=0.72eV，ni=2.4×1013cm-3
在室温条件下，本征半???体中载流子的数目是很少的，它们有一定的导电能力但很微弱。
; 本征半导体的迁移率和电阻率
本征半导体受热后，载流子不断发生热运动，在各个方向上的数量和速度都是均布的，故不会引起宏观的迁移，也不会产生电流。
但在外电场的作用下，载流子就会有定向的漂移运动，产生电流。这种漂移运动是在杂乱无章的热运动基础上的定向运动，所以在漂移过程中，载流子不断地互相碰撞，使得大量载流子定向漂移运动的平均速度为一个恒定值，并与电场强度成正比。 ;本征半导体 (intrinsic semiconductor)的电学性能; 自由电子的自由度大，故它的迁移率较大；而空穴的漂移实质上是价电子依次填补共价键上空位的结果，这种运动被约束在共价键范围内，所以空穴的自由度小，迁移率也小。
自由电子迁移率比空穴的迁移率大。
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