真空镀膜稳定性与均匀性研究.pdf

工 业 技 术 ： ! 2 eWTechnologiesandProduct 真空镀膜稳定性与均匀性研究 刘海勇 刘丽娜 高鹏 (天津核工业理化工程研究院，天津 300180) 摘 要：真空镀膜的质量受多种因素的影响。镀膜工艺参数等诸多要素直接影响到真空镀膜的稳定性与均匀性。本文以 真空蒸发镀膜和PECVD~-为例，详细分析了影响镀膜稳定性与均匀性的工艺问题，希望对于实际真空镀膜工作质量的 提供有所启发和帮助。 关键词 ：真空镀膜；蒸发镀；PECVD；稳定性；均匀性 中图分类号：TB43 文献标识码：A 随着真空镀膜技术的发展与应用， 境下分子间碰撞很小，蒸发分子遇基片 真空度实际意义不大但实现难度和成本 对于镀膜质量 的要求越来越高 。如何有 表面迅速凝结 。因此~IMgF2原料 的蒸镀 很高，另一方面高真空度往往需要加热 效保证镀膜稳定性与均匀性，成为工程 基片温度通常保持60％即可。 烘烤去气 ，长时间烘烤可能造成基底损 师们需要考虑的重点问题 。然而在实际 3原料状态的影响 伤，会对镀膜质量造成不良影响。 镀膜工作中，由于真空镀膜质量受到许 不同的原料状态可能会对蒸镀过程 2镀膜温度的影响 多 内外因素的影响，很难准确 了解各因 造成较大的影响。实验研究成果表明： 真空室内温度分布通常并不均匀， 素对于镀膜质量的影响，这对于提高镀 在蒸镀条件一致的前提下，粉末状的原 受加热源位置、腔体结构、加热能量大 膜质量造成很大的困难。 料状态结构松散，原料 内的水与空气较 小等因素影响，一般托盘中间区域与边 一 、 蒸发镀膜稳定性与均匀性的控 多，实际蒸镀前应充分溶解原料，原料 缘区域有几摄 氏度温差，造成凝聚系数 制 质量损失相对较大 ，光照度较差 ；多晶 的不 同，温度高区域膜厚往往小于温 l蒸镀工艺方式的选择 颗粒 的原料状态 由于生产过程已经除气 度低 区域 。因此需要在镀膜过程采用一 热电阻蒸镀与 电子束蒸镀是最为 脱水 ，结构均匀致密，实际蒸镀前原料 系列温控手段，例如可以升高基底温度 常见的蒸发镀膜方式，其中热电阻蒸镀 质量损失相对较小，光照度较好。而且 来增加基底表面颗粒能量加强反应生成 的原理是通过电流加热蒸发蒸发舟上 的 实际蒸镀 中我们发现 ，单晶原料蒸镀 的 物聚集成团，并有利于填补薄膜表面缺 原料，而电子束蒸镀的原理是通过电子 薄膜组成形式为大分子团，冷却后形成 陷，确保镀膜的稳定性与均匀性。但提 束加热蒸发水冷坩埚上的原料。热电阻 大颗粒柱状结构，薄膜结构疏松 ，耐磨 高基底温度会造成沉积速率降低，容易 蒸镀的优点在于设备简单、价格低、可 性差，而多晶原料薄膜为小分子沉积， 导致表面颗粒运动时间不足无法聚集成 靠性较高，对原料预热充分 ，不容易导 更适宜于用作蒸镀原料。 团，进而影响薄膜均匀性。根据实际镀 致化合物原料分解 ，其缺点在于能达到 4蒸发源与基片间距的影响 膜经验，我们认为腔体温度保持250~C时 的温度不高，加热器使用寿命不长。而 蒸发源与基片间距会对薄膜均匀性 镀膜稳定性与均匀性最佳。 电子柬蒸镀 的优点在于能达到的温度更 等造成一定影响，根据实际镀膜经验 ， 3反应气压的影响 高，蒸发速度快 ，但缺点是难 以有效控 蒸发源与基片间距较小的情况下，薄膜 反应室 内的气压越高，则气体浓 制 电流 ，容易导致低熔点材料快速蒸 厚度相对更大，均匀性也相对更好 。因 度越高，活性等离子体密度越大。成膜 发，且 电子束能量多被水冷系统带走， 此在实际镀膜生产中，我们需要考虑如 速率越快 ，因此反应气压对