李建军-半导体器件模拟及数值分析第六章有限元法模拟.ppt

MOS器件的二维稳态分析 4.有限元方程建立 并代入下式 Jn MOS器件的二维稳态分析 GO 4.有限元方程建立 上述方程与下面的方程连立可解出 MOS器件的二维稳态分析 5.有限元方程的解法 MOS器件的二维稳态分析 5.有限元方程的解法 MOS器件的二维稳态分析 5.有限元方程的解法 MOS器件的二维稳态分析 形成初值?(0), ?n(0), ?p(0) 建立和求解A方程组? ?? 开始 结束 Yes No | | ??(k)| | ?1 | | ??(k)| | ?2 修正?n 建立和求解B方程组? ?n Yes 修正? No 内循环 外循环 建立和求解A方程组? ?? Yes MOS器件的二维稳态分析 源区节点上，?(0)=VS 漏区节点上，?(0)=VD 衬底节点上，?(0)=VB 对n沟MOS器件，?p(0)是常数， ?p＝exp(VB) ?n(0)是通过把?(0)代入B方程求解得到 6.初值 MOS器件的二维稳态分析 7.单元网格划分 MOS器件的二维稳态分析 下图中类型1是基本形式的单元，类型2用于从上至下网格变疏，类型3用于从下至上网格变疏，类型4用于从左至右网格变疏，类型5则用于从由右至左网格变疏。 类型1 类型2 类型3 类型4 类型5 合理地进行网格的划分对方程组阶数的降低和保证求解结果的精度有很大的好处。此处待解区域上全部网格由三角形单元组成。网格划分的基本原则是在待解变量变化陡峭的区域网格应该密一些，在待解变量变化缓慢的区域网格应该稀一些。 7.单元网格划分 MOS器件的二维稳态分析 Y方向变疏 X方向变疏 采用上述方法，对三种不同沟道长度的样品计算器漏电流IDS随栅电压VG的变化值件，三个样品均为n沟道MOS器件。 沟道长度分别为L=2.07, 3.25, 9.28 ?m; W=15 ?m ； 栅氧化层厚度为tox=250A; 漏源结深为 xj=0.7?m； 衬底惨杂浓度为NB=2?1015cm-3； 漏和源扩散区的表面浓度为NS=1020cm-3 MOS器件的二维稳态分析 8.计算结果与实验结果比较 左图给出了L=2.07?m, W=15 ?m的样品1在VDS=3V，VB=-1V和0V情况下IDS随栅电压VG的变化，右图给出了三种沟道长度的样品在VDS=3V，VB=0V情况下IDS随栅电压VG的变化。可以看出测量值和实验值在误差范围内得到了复合。同时由右图可以明显地看到沟道长度减小阈值电压下降的短沟道效应。 ? ? ? ? VG(V) ? ? ? ? VDS=3V L=2.07 ?m VB=0V VB=-1V ? ? ? ? VG(V) ? ? ? ? VDS=3V L=2.07 ?m ? ? ? L=3.25 ?m L=9.28 ?m 样品1在不同衬底偏压下IDS随VG变化的测量值与计算值(曲线为测量值 为计算值) 三种不同沟道长度样品的IDS随VG变化的测量值与计算值(曲线为测量值 为计算值) GaAsFET的有限元两维数值分析 GaAsFET的有限元两维数值分析 §6-7 GaAsFET的有限元二维分析 目前GaAsFET日益超小型化方向发展。而短沟器件中二维效应很显著，要得到短栅器件的精确的物理图像，只有通过严格地解联立形式的二维Poisson方程和电流连续方程。正如前面所说，要得到上述偏微分方程的解析解是非常困难的，在许多情况下是不可能的，唯一的办法是借助于电子计算机作二维数值分析。 GaAsFET的有限元两维数值分析 砷化镓场效应器件，即GaAsFET，是近二十年来发展最快的微波半导体器件，其应用范围也不断扩大，从微波低噪声器件发展到微波功率器件，从微波集成电路发展到千兆赫的高速逻辑电路。这就要求对GaAsFET器件内部的物理过程作一番深入的研究分析，搞清其物理机制，从而进一步改进提高器件性能并探索新器件。 一、 GaAsFET的物理模型、基本方程和边界条件 1、物理模型 GaAsFET的基本结构如下图所示，这里作如下假设： GaAsFET的有限元两维数值分析 S G