第章平衡状态下的半导体.pptVIP

B:电离受主浓度 2. n型半导体的费米能级和载流子浓度 计算的一般方法： A:由电中性条件 B:联立 （1）电中性条件 (2) 低温弱电离区 电中性条件 求解困难 (3) 强电离饱和区 电中性条件 A:轻掺杂的非简并半导体 B: C: (4) 高温过渡区 电中性条件： 联立 A:近强电离饱和区 B:近本征激发区 电中性条件 高温下的半导体呈本征型 (5) 高温本征激发区 6.4 简并半导体 一．简并半导体的载流子浓度 一般情况下，NDNC或NA NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。 二．简并化条件 A: 非简并 B: 弱简并 C: 简并 三．简并时的杂质浓度 取 为简并化条件 （1） 发生简并时 （2） 发生简并时 重掺杂半导体 四．简并时杂质没有充分电离 能带图 24％电离 8.4%电离 五．简并半导体的杂质能带 杂质电离能减小 形成新的简并导带 简并半导体 （1）杂质浓度高 （2） 接近或进入能带 （3）杂质未充分电离 （4）形成杂质能带 第6章 平衡状态下的半导体 6.1 半导体的能带结构 常温下，价带中的电子依靠热激发跃迁到上面的空带，使空带底部附近