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IRF630场效应管.pdfVIP

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  • 2017-07-03 发布于河南
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IRF630场效应管.pdf

    IRF630场效应管

    Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor IRF630, IRF630S FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • ’Trench’ technology d • Low on-state resistance VDSS = 200 V • Fast switching • Low thermal resistance

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