TBP掺杂比例对OLED蓝光器件的影响.pdfVIP

第 24 卷 　第 1 期 液 　晶　与 　显 　示 Vol24 ,No 1 2009 年 2 月 Chinese J ournal of Liquid Cry st al s and Di sp lays Feb . ,2009 文章编号 (2009) 0 1007 105 TB P 掺杂比例对 OL ED 蓝光器件的影响 1 2 1 牟 　强 ,王秀峰 , 张麦丽 ( 1. 陕西科技大学 电气与信息工程学院 , 陕西 西安 　7 1002 1 , Email : muqiang @su st . edu . cn ; 2 . 陕西科技大学 材料科学与工程学院 , 陕西 西安 　7 1002 1) 摘 　要 : 制备了以AND 为主体的蓝光器件 ,发现 AND 厚度对器件发光特性有一定影响 。 当 AND/ Alq3 厚度比为 4 ∶3 且厚度为40 nm 时 ,所制器件启亮电压低 ,发光特性好 。另外 ,掺 杂 TB P 后 ,改变了器件的能级结构 ,可有效输入电子而阻挡空穴输出 ,提高激子在 AND 中的 复合 。TB P 掺杂比例存在一最佳值 ,实验发现 ,当掺杂比例为 2 %时 ,器件有最佳发光特性和 色纯度 。 关 　键 　词 : 蓝光器件 ; ADN ; TB P ; 色纯度 中图分类号 : TN 304 . 5 ; TN 3 11+ . 5 ; TN 383 + . 1 　　　文献标识码 : A TB P ,Alq3 、Li F ,最后蒸镀 Al 。蒸发条件见表 1 , 1 　引　　言 沉积厚度分别为 2 TN A TA 15 nm ,N PB 50 nm , 有机电致发光器件具有功耗低 、器件轻薄 、主 AND ( TB P) 40 nm , Alq3 30nm 。维持真空度不 动发光 、亮度高 、视角广以及响应速度快等优点 , 变 ,继续沉积 Li F , 沉积速率为 0 . 1 nm/ s , 厚度 受到了人们的广泛关注[ 1 ] 。特别是近年来 ,材料 0 . 5 nm ;金属 Al , 沉积速率为 1 nm/ s , 厚度为 性能的改善和寿命的提高使 OL ED 的应用取得 100 nm 。　 了实质性的进展[26 ] 。在器件方面 , 由于电致发光 器件结构为 : 是一个电子空穴的注入与复合过程 ,其发光亮度 I TO/ 2 TN A TA ( 15 nm ) / N PB ( 50 nm ) / 与电子和空穴浓度及激子的复合概率的乘积成正 AND ∶TB P ( x %) (40 nm) / Alq3 (30 nm) / Li F (0 . 5 比。要获得较大的发光效率 ,不仅要求电子和空 nm) / Al ( 100 nm) 穴能进行有效注入和在器件内进行有效的输运和 其中: x = 0 , 0 . 5 , 1. 0 , 1. 5 , 2 . 0 , 2 . 5 , 3 . 0 , 复合 ,而且需要电子和空穴注入均衡[7 ]