LA000204 ESD课程概要1.pptVIP

LA000204 ESD课程 课程开发部 引入 静电在我们的生活中无处不在，您知道静电的危害吗？ 在我们的工程和维护工作中应该如何做呢？ 学习目标 掌握静电的危害和基本概念 掌握安装维护工作中正确的操作方法 课程内容 第一章 静电危害 对器件的损伤 在所有失效中ESD失效所占比例 对企业的影响——金钱、时间、客户满意度 业界情况 课程内容 课程内容 课程内容 课程内容 课程内容 课程内容 ESD损伤 ESD导致的损伤事例 损伤类型：软损伤、硬损伤 失效原因：电介质击穿、热击穿 ESD损伤导致的损伤事例（1） ESD损伤导致的损伤事例 ESD能引起电波应力（EOS），熔化器件的金属部分 EOS（Electric Overstress）有下列特点：持续时间较长的大电流对器件的大面积损伤，损伤可以观察到 损伤类型：软损伤、硬损伤 1、软损伤 单板、芯片内部受到部分损伤，没有完全损坏，减弱了性能，器件或单板的特性变差，但仍能正常工作和通过测试 2、硬损伤 单板或器件完全被损坏，性能消失、不能工作 损伤类型：软损伤、硬损伤 对微电路中的一段线路做ESD实验发现： 200V~400V时 线路的阻抗没有发现变化 600V时 微电路的性能指标稍有下降，但 仍能通过测试。 800V~900V 出现了局部熔断和孔洞，线路 阻抗发生了明显变化 1000V 线路断路，器件被完全损坏。 200v 400v 600v 800v 900v 1000v 软损伤的特点和影响 根据2000年四月国际可靠性物理会议，对软损伤得出了以下结论： --通过微观分析，发现ESD事件引发了许多内部连线失效 --由熔化和空洞引起的损伤，具有隐藏性 --软损伤不能找到物理上的证据，因为通过测试不能发现电路参数 的明显改变 --空洞是由大电流密度和高温引起电迁移引起 失效原因 电介质击穿 --半导体氧化层周围的电压超过了氧化层介质击穿电压 --氧化层越薄，对静电越敏感，过热和短路会损坏器件 热击穿 --在ESD事件中产生的热量使器件局部过热和使接点融化 --热是由放电电流产生的 --热能与放电电流的平方成正比 第三章 ESD损伤 第二章 静电基本知识介绍 第四章 半导体发展趋势及半导体失效 第五章 ESD的控制 第六章 常用防静电材料和工具介绍 第七章 规范的操作图示 第一章 静电危害 半导体发展趋势及半导体失效 半导体器件的敏感性 半导体发展趋势 ESD/EOS引起失效占各类失效之首 常用器件静电损坏电压 器件类型 损坏电压 单位：V 器件类型 损坏电压 单位：V MOSFET 10--100 SAW 150--500 VMOS 30--1800 OPAMP 190--2500 NMOS 60--100 SCHOTTKY 300--2500 GaAsFET 60--2000 filn resisitor 300--3000 EEPROM 100以上 bipolar resisitor 300--7000 CMOS 200--3000 ECL 500以上 JFET 140--7000 SCR 500--1000 TTL 500--2500 静电可以损毁任何一种常用电子器件！ 半导体发展趋势（1） 时间 CPU名称 三极管数目 最小尺寸 1993 Pentium 310万 800纳米 1997 Pentium Ⅱ 750万 350纳米 1999/2月 Pentium Ⅲ 950万 250纳米 1999/10月 Pentium Ⅲ 2800万 180纳米 现在 Pentium Ⅳ ？ ？ 半导体发展趋势（2）-摩尔定律 半导体发展趋势（3） 现在半导体器件 变得： 更加精密 更加复杂 更加静电敏感 ESD/EOS引起的失效占各类失效之首 ESD/EOS引起的失效 排在第一位 EOS/ESD 59% 电子测试 3% 氧化/钝化 3% 导体失效 3% 硅片断裂 4% 引脚短路/开路 7% 引脚连接 15% 其他 6% 第三章 ESD损伤 第二章 静电基本知识介绍 第四章 半导体发展趋势及半导体失效 第五章 ESD的控制 第六章 常用防静电材料和工具介绍 第七章 规范的操作图示 第一章 静电危害 ESD的控制（3W1H） Why？ 为什么要进行ESD控制 Who？ 哪些人要参与进行ESD控制 Where？ 在哪些地方需要进行ESD控制 How？ 怎样进行ESD控制 为什么要进行ESD控制 提高产品生命周期和运行稳定性 提高技术支援投入产出比 提高客户满意度 供应商 管理人员 设计师 采购 库房人员 测试和装配人员 运输人员 哪些人要参与进行E