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课件05-2能带结构
半导体物理：第四章能带结构
1. 引言
2. 周期势中的电子
3. 典型半导体的能带结构
4. 合金半导体
5. 无定形半导体
6. 半导体带隙
7. 带隙的温度依赖性
8. 电子载流子
9. 空穴载流子
10. 能带的应变效应
11. 态密度
1. 引言
• 在晶体中运动的电子会感受到如下的周期势：
R是任意晶格矢量。
• 这个势来源于离子实，以及其它的电子。
• 这是一个多体问题，包含所有的电子和离子实。
• 要求解这个问题，必须简化！
2. 周期势中的电子：Bloch定理
• Bloch定理
• 对于电子的Schroedinger方程：
其中U (r)具有晶格的周期性。
• Bloch定理：上列方程中单电子Hamiltonian的本征态可以写为平面
波与晶格周期函数的乘积：
其中 ；Bloch函数
对所有的晶格矢量R满足
2. 周期势中的电子：Bloch定理
• Bloch定理在这里就不做证明了。
• 如果E 是一个能量本征值，于是对于所有的倒格矢G，E 也是一
nk nk+G
个能量本征值：
• 则能量值在倒空间具有周期性。
• 下图是不同的k取法的能带结构：
2. 周期势中的电子：自由电子色散关系
• 如果整个波函数（6.3）满足Schroedinger方程（6.2），那Bloch
函数就满足
• 讨论最简单的情况：U=0。对于倒空间的任意矢量k，容易得到
• 如果定义 ，则有
• 可以限制到BZ里面。
2. 周期势中的电子：自由电子色散关系
• 采用各种的倒格矢，色散关系就有很多分支。下图是1D、3D sc、3D fcc的
色散关系：
2. 周期势中的电子：Kronig–Penney模型
• Kronig–Penney模型很简单，可以解析求解，但可以很好地展示周期
势对电子色散关系的作用。
• 如上图，阱宽为a，势垒宽为b，周期为P=a+b 。势能在阱底为0，在
势垒处为U 。
0
• Schroedinger方程为
2. 周期势中的电子：Kronig–Penney模型
• 采用平面波试探解，有
• 第一个方程定义在[0,a]，有
• 第二个方程定义在(a,a+b]，有
• Bloch定理的周期性要求，波函数在x=-b必须具有形式：
这里的k是Bloch波矢，与上面方程中的K和 （kappa）不同。
• 波函数及其导数在x=0和x=a处必须连续，要求
2. 周期势中的电子：Kronig–Penney模型
• 在（6.11c,d)左边，波函数及其导数在x=-b处的连续性已经用上了。
• 关于A、B、C、D的方程组（6.11）要有非平庸解，其系数行列式必
须等于零。由此可得方程
• 进一步简化，
• 但是，保持 为有限的常数；相应地，有
• （6.12）化为
其中 表示势垒强度。
2. 周期势中的电子：Kronig–Penney模型
• （6.13）中右边的绝对值小于1，即[-1,+1]，才有解：
Fig. 6.3. (b) Transcendental function B(K) from (6.13) for β = 5. The dashed line
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