近红外激光退火晶化CIGS薄膜研究.pdfVIP

第30卷 第6期 深圳大学学报理工版 Vo1．30 No．6 2013年 l1月 JOURNALOFSHENZHEN UNIVERSITY SCIENCEAND ENGINEERING NOV．2013 【材料科学 ／MaterialScience】 近红外激光退火晶化 CIGS薄膜研究 胡居广 ，汤华斌 ，李启文 ，李学金 一，郑 彬 ，刘 毅 ，龙井华 ，林晓东 1)深圳大学物理科学与技术学院，深圳 518060；2)深圳市传感器技术重点实验室，深圳 518060 摘 要：利用脉冲激光沉积法在石英基底上沉积铜铟镓硒薄膜为前驱物，采用波长 1064nm的近红外 脉冲激光在不同能量密度下对其进行退火晶化．对薄膜的光学特性、晶体结构和形貌等进行表征分析，结 果表明，随着激光能量密度增加，铜铟镓硒薄膜结晶度增加，晶粒尺寸变大，压应力减小，禁带宽度增加． 当激光能量密度为325rnJ／cm 时，薄膜的结晶度达最高值29．46％，晶粒尺寸达最大为 15．4DE，压应力 最小，薄膜结晶质量最好，过低和过高的能量密度都不利于薄膜的结晶．同时分析 了高能量密度时薄膜表 面条纹的形成机理． 关键词：薄膜物理；激光退火；铜铟镓硒薄膜；能量密度；结晶；压应力；表面条纹 中图分类号：TM914．42；TB43 文献标志码 ：A doi：10．3724／SP．J．1249．2013．06623 StudyonthestructureofcrystallizedCIGS thin filmsbynearinfraredlaserannealing HuJuguang，TangHuabin，LiQiwen，LiXuejin一，ZhengBin， LiuYi” LongJinghua ，andLinXiaodong ， 1)CollegeofPhysicalScienceandTechnology，ShenzhenUniversity，Shenzhen518060，P．R．China 2)ShenzhenKeyLabofSensorsTechnology，Shenzhen518060，P．R．China． Abstract：Culn】GaSe2(CIGS)filmsweredepositedonqua~zsubstratebypulsedlaserdepositionasprecursors andannealedbythe1064nm nearinfraredpulselaseratdifferentenergydensity．Theopticalproperties，micro structures．surfacemorpholoygwerecharacterizedwithspectrophotometer，X—raydiffractometry(XRD)，scanninge— lectronmicroscopy(SEM)respectively．Theresultsshowthatwiththelaserenergydensityincreasing，thecrystal‘ linityofCIGSfilmsincreases；grain sizebecomeslarger；compressivestressdecreases；band—gapincreases．When thelasereneryg densityreaches325m．1／cm ，thecrystallinityoffilmsrisesupto29．46％ ；thegrainsizereaches themaximum 15．4nm；thecompressivestressisminimum．Thecrystallizationqualityisthebest，andthecrystallin— ityoffilm isbadatlowerorhighereneryg density．Inaddition，theformationmechan